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IXFP22N60P3

更新时间： 2024-02-20 21:53:11

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IXYS		/
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5页	147K
描述
Polar3 HiperFET Power MOSFETs

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IXFP22N60P3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-220AB	包装说明：	PLASTIC PACKAGE-3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	4.55	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	400 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	22 A	最大漏极电流 (ID)：	22 A
最大漏源导通电阻：	0.36 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	500 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	55 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON

IXFP22N60P3 数据手册

Advance Technical Information

Polar3^TMHiperFET^TM

Power MOSFETs

V_DSS= 600V

I_D25= 22A

R_DS(on)≤ 360mΩ

IXFP22N60P3

IXFQ22N60P3

IXFH22N60P3

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-220AB (IXFP)

Fast Intrinsic Rectifier

Tab

TO-3P (IXFQ)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

600

V_DGR

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

± 30

± 40

Tab

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

TO-247 (IXFH)

T_C= 25°C, Pulse Width Limited by T_JM

I_A

T_C= 25°C

E_AS

400

dv/dt

P_D

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 150°C

T_C= 25°C

V/ns

Tab

500

T_J

-55 ... +150

150

°C

G = Gate

S = Source

= Drain

T_JM

T_stg

Tab = Drain

-55 ... +150

Features

T_L

T_sold

1.6mm (0.062in.) from Case for 10s

Plastic Body for 10 seconds

300

260

°C

^zFast Intrinsic Rectifier

^zAvalanche Rated

M_d

Mounting Torque

1.13 / 10

Nm/lb.in.

Weight

TO-220

TO-3P

TO-247

3.0

5.5

6.0

^zLow R_DS(ON)and Q_G

^zLow Package Inductance

Advantages

^zHigh Power Density

^zEasy to Mount

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C Unless Otherwise Specified)

Min.

600

3.0

Typ.

Max.

^zSpace Savings

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 1mA

V_DS= V_GS, I_D= 1.5mA

V_GS= ±30V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

5.0

Applications

±100 nA

^zSwitch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

I_DSS

25 μA

1.25 mA

T_J= 125°C

^zDC-DC Converters

^zLaser Drivers

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

360 mΩ

^zAC and DC Motor Drives

^zRobotics and Servo Controls

DS100321(03/11)

12 3 4 5

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IXFP22N60P3 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXTV22N60P	IXYS	类似代替	PolarHVTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode
IXFV22N60P	IXYS	类似代替	PolarHV HiPerFET Power MOSFETs
IXFH22N60P3	IXYS	功能相似	Polar3 HiperFET Power MOSFETs

与IXFP22N60P3相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFP22N65X2	LITTELFUSE	获取价格	这些新型器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，具有最低的导通电阻，以及低栅极电荷和卓越的
IXFP22N65X2M	LITTELFUSE	获取价格	这些新型器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，具有最低的导通电阻，以及低栅极电荷和卓越的
IXFP230N075T2	IXYS	获取价格	TrenchT2 HiperFET Power MOSFET
IXFP230N075T2	LITTELFUSE	获取价格	这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能
IXFP24N60X	LITTELFUSE	获取价格	采用快速体二极管的超级结X-Class功率MOSFET是坚固耐用的器件，具有业内最低的导通
IXFP24N65X	ISC	获取价格	isc N-Channel MOSFET Transistor
IXFP24N65X_18	ISC	获取价格	isc N-Channel MOSFET Transistor
IXFP26N30X3	LITTELFUSE	获取价格	超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，可提供出类拔萃的质量因数（导通电阻乘
IXFP26N50P3	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFP26N65X2	LITTELFUSE	获取价格	650V X2级超级结MOSFET提供26A标称额定电流型号。其采用标准TO-220封装

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