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IXFP130N10T2

更新时间： 2024-09-17 14:56:03
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE /
页数 文件大小 规格书
7页 339K
描述
这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能（Tc=@25oC）。 通过结合高电流额定值与紧凑的封装选择，这些尺寸更加小巧的器件能够控制更高的功率。

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IXFP130N10T2 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.46

IXFP130N10T2 数据手册

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TrenchT2TM HiperFETTM  
Power MOSFET  
VDSS = 100V  
ID25 = 130A  
RDS(on) 10.1m  
IXFA130N10T2  
IXFP130N10T2  
N-Channel Enhancement Mode  
Avalanche Rated  
Fast Intrinsic Rectifier  
TO-263  
(IXFA)  
G
S
D (Tab)  
Symbol  
VDSS  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
TO-220  
(IXFP)  
TJ = 25C to 175C  
100  
100  
V
V
VDGR  
TJ = 25C to 175C, RGS = 1M  
VGSS  
VGSM  
Continuous  
Transient  
20  
30  
V
V
G
D
S
D (Tab)  
ID25  
IL(RMS)  
IDM  
TC = 25C (Chip Capability)  
External Lead Current Limit  
TC = 25C, Pulse Width Limited by TJM  
130  
120  
300  
A
A
A
G = Gate  
D
= Drain  
S = Source Tab = Drain  
IA  
TC = 25C  
TC = 25C  
65  
A
EAS  
800  
mJ  
dV/dt  
PD  
IS IDM, VDD VDSS,TJ 175C  
TC = 25C  
20  
V/ns  
W
Features  
360  
International Standard Packages  
175°C Operating Temperature  
High Current Handling Capability  
Fast Intrinsic Rectifier  
Dynamic dV/dt Rated  
Low RDS(on)  
TJ  
-55 ... +175  
175  
C  
C  
C  
TJM  
Tstg  
-55 ... +175  
TL  
TSOLD  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s  
300  
260  
°C  
°C  
Advantages  
FC  
Mounting Force (TO-263)  
Mounting Torque (TO-220)  
10..65 / 2.2..14.6  
1.13 / 10  
N/lb  
Nm/lb.in  
Md  
Easy to Mount  
Space Savings  
Weight  
TO-263  
TO-220  
2.5  
3.0  
g
g
High Power Density  
Applications  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
DC-DC Converters  
Battery Charges  
Switch-Mode and Resonant-Mode  
Power Supplies  
DC Choppers  
(TJ = 25C Unless Otherwise Specified)  
Min. Typ.  
100  
2.0  
Max.  
BVDSS  
VGS(th)  
IGSS  
VGS = 0V, ID = 250A  
VDS = VGS, ID = 1mA  
VGS = 20V, VDS = 0V  
VDS = VDSS, VGS = 0V  
V
V
4.5  
AC Motor Drives  
           200 nA  
Uninterruptible Power Supplies  
High Speed Power Switching  
Applications  
IDSS  
10 A  
TJ = 150C  
VGS = 10V, ID = 65A, Notes 1 & 2  
500 A  
RDS(on)  
10.1 m  
DS100111B(11/18)  
© 2018 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  
1234567

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与IXFP130N10T2相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXFP130N15X3 LITTELFUSE

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 		超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，可提供出类拔萃的质量因数（导通电阻乘
IXFP14N60P IXYS

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 		PolarHV HiperFET Power MOSFET
IXFP14N60P LITTELFUSE

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 		功能与特色: 优点: 应用:
IXFP14N60P3 LITTELFUSE

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 		PolarP3? HiPerFET?产品系列是针对300V, 500V至600V产品系列的
IXFP14N85X LITTELFUSE

获取价格

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 		功能与特色: 优点: 应用:
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IXFP16N60P3 LITTELFUSE

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 		Power Field-Effect Transistor,

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