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IXFP130N15X3

更新时间： 2024-01-16 19:49:33

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		开关栅栅极
页数	文件大小	规格书
7页	261K
描述
超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，可提供出类拔萃的质量因数（导通电阻乘以栅极电荷），最大限度地降低传导和开关损耗。该系列产品表现出业内最低的导通电阻。凭借较低的反向恢复电荷

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IXFP130N15X3 数据手册

X3-Class HiPerFET^TM

Power MOSFET

V_DSS= 150V

I_D25= 130A

R_DS(on) 9.0m

IXFP130N15X3

IXFH130N15X3

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-220

(IXFP)

D (Tab)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

TO-247

(IXFH)

T_J= 25C to 150C

150

V_DGR

T_J= 25C to 150C, R_GS= 1M

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

20

30

D (Tab)

I_D25

I_DM

T_C= 25C

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

130

230

G = Gate

S = Source

= Drain

Tab = Drain

I_A

T_C= 25C

E_AS

1.2

dv/dt

P_D

I_S I_DM, V_DD V_DSS, T_J 150°C

T_C= 25C

V/ns

390

T_J

-55 ... +150

150

C

Features

T_JM

T_stg



-55 ... +150

International Standard Packages

Low R_DS(ON)and Q_G



T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C

Avalanche Rated

Low Package Inductance

M_d

Mounting Torque

1.13 / 10

Nm/lb.in

Weight

TO-220

TO-247

Advantages



High Power Density

Easy to Mount

Space Savings



Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.

Applications

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250μA

V_DS= V_GS, I_D= 1.5mA

V_GS= 20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

150



2.5

4.5

Switch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

DC-DC Converters

PFC Circuits

AC and DC Motor Drives



100 nA

A



I_DSS



T_J= 125C

300 A



Robotics and Servo Controls

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

7.6

9.0 m

DS100808D(11/19)

12 3 4 5 6 7

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