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IXFP14N60P

更新时间： 2024-02-07 20:12:05

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5页	158K
描述
PolarHV HiperFET Power MOSFET

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IXFP14N60P 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	TO-220, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	4.53	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	900 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	14 A	最大漏极电流 (ID)：	14 A
最大漏源导通电阻：	0.55 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	300 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	42 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON

IXFP14N60P 数据手册

PolarHV^TMHiperFET

Power MOSFET

V_DSS= 600V

I_D25= 14A

IXFA14N60P

IXFP14N60P

IXFH14N60P

R_DS(on)≤ 550mΩ

t_rr

≤ 200ns

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Fast Intrinsic Diode

TO-263

(TAB)

TO-220

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C R_GS= 1MΩ

600

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

± 30

± 40

(TAB)

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

TO-247

I_A

E_AS

T_C= 25°C

900

dV/dt

P_D

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 150°C

T_C= 25°C

V/ns

(TAB)

300

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

G = Gate

= Drain

S = Source

TAB = Drain

T_L

T_SOLD

1.6mm (0.062 in.) from case for 10s

Plastic body for 10 seconds

300

260

°C

Features

Mounting Torque

Mounting Force

(TO-220 & TO-247)

(TO-263)

1.13 / 10

10..65 / 2.2..14.6

Nmlb.in.

N/lb.

F_C^d

^zInternational standard packages

^zAvalanche rated

Weight

TO-263

TO-220

TO-247

2.5

3.0

6.0

Advantages

Easy to mount

Space savings

High power density

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C unless otherwise specified)

Min.

600

3.0

Typ.

Max.

Applications:

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250μA

V_DS= V_GS, I_D= 2.5mA

V_GS= ± 30V, V_DS= 0V

^zSwitched-mode and resonant-mode

power supplies

5.5

^zDC-DC Converters

^zLaser Drivers

± 100 nA

μA

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0V

^zAC and DC motor drives

^zRobotics and servo controls

T_J= 125°C

500 μA

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

450

550 mΩ

DS99389F(12/08)

12 3 4 5

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IXFH14N60P	IXYS	类似代替	PolarHV HiperFET Power MOSFET
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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFP14N60P3	LITTELFUSE	获取价格	PolarP3? HiPerFET?产品系列是针对300V, 500V至600V产品系列的
IXFP14N85X	LITTELFUSE	获取价格	采用快速体二极管的超级结X-Class功率MOSFET是坚固耐用的器件，具有业内最低的导通
IXFP14N85XM	LITTELFUSE	获取价格	采用快速体二极管的超级结X-Class功率MOSFET是坚固耐用的器件，具有业内最低的导通
IXFP16N50P	IXYS	获取价格	PolarHV HiperFET Power MOSFET
IXFP16N50P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFP16N50P3	LITTELFUSE	获取价格	PolarP3? HiPerFET?产品系列是针对300V, 500V至600V产品系列的
IXFP16N60P3	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFP180N10T2	IXYS	获取价格	TrenchT2 HiperFET Power MOSFET
IXFP180N10T2	LITTELFUSE	获取价格	这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能
IXFP18N60X	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,

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