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IXFP180N10T2

更新时间： 2024-02-23 23:25:13

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6页	207K
描述
TrenchT2 HiperFET Power MOSFET

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IXFP180N10T2 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	PLASTIC PACKAGE-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.81	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	750 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	180 A	最大漏极电流 (ID)：	180 A
最大漏源导通电阻：	0.006 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	480 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	450 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON

IXFP180N10T2 数据手册

Preliminary Technical Information

TrenchT2^TMHiperFET^TM

Power MOSFET

V_DSS= 100V

I_D25= 180A

R_DS(on)≤ 6mΩ

IXFA180N10T2

IXFP180N10T2

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-263 AA (IXFA)

Fast Intrinsic Rectifier

D (Tab)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25°C to 175°C

T_J= 25°C to 175°C, R_GS= 1MΩ

100

TO-220AB (IXFP)

V_DGR

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

±20

±30

I_D25

I_LRMS

I_DM

T_C= 25°C (Chip Capability)

Lead Current Limit, RMS

T_C= 25°C, Pulse Width Limited by T_JM

180

120

450

D (Tab)

= Drain

I_A

T_C= 25°C

G = Gate

S = Source

Tab = Drain

E_AS

750

dv/dt

P_D

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 175°C

T_C= 25°C

V/ns

480

Features

T_J

-55 ... +175

175

°C

^zInternational Standard Packages

^zAvalanche Rated

T_JM

T_stg

-55 ... +175

^z175°C Operating Temperature

^zHigh Current Handling Capability

^zFast Intrinsic Rectifier

T_L

T_sold

1.6mm (0.062in.) from Case for 10s

Plastic Body for 10 Seconds

300

260

°C

M_d

Mounting Torque (TO-220)

1.13 / 10

Nm/lb.in.

Low R_DS(on)

Weight

TO-263

TO-220

2.5

3.0

Advantages

Easy to Mount

Space Savings

High Power Density

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C Unless Otherwise Specified)

Min. Typ.

Max.

Applications

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250μA

V_DS= V_GS, I_D= 250μA

V_GS= ± 20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

100

2.0

^zDC-DC Converters

^zBattery Chargers

4.0

^zSwitch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

±100 nA

I_DSS

10 μA

^zDC Choppers

^zAC Motor Drives

T_J= 150°C

V_GS= 10V, I_D= 50A, Notes 1, 2

750 μA

^zUninterruptible Power Supplies

^zHigh Speed Power Switching

Applications

R_DS(on)

6 mΩ

DS100266A(09/10)

12 3 4 5 6

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IXFP180N10T2 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXTH200N10T	IXYS	功能相似	TrenchMVTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTQ200N10T	IXYS	功能相似	TrenchMVTM Power MOSFET
IXFA180N10T2	IXYS	功能相似	TrenchT2 HiperFET Power MOSFET

与IXFP180N10T2相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFP18N60X	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFP18N60X	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFP18N65X2	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFP18N65X2M	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFP20N50P3	LITTELFUSE	获取价格	PolarP3? HiPerFET?产品系列是针对300V, 500V至600V产品系列的
IXFP20N50P3M	LITTELFUSE	获取价格	PolarP3? HiPerFET?产品系列是针对300V, 500V至600V产品系列的
IXFP20N85X	LITTELFUSE	获取价格	采用快速体二极管的超级结X-Class功率MOSFET是坚固耐用的器件，具有业内最低的导通
IXFP220N06T3	LITTELFUSE	获取价格	60V TrenchT3?功率MOSFET是对低压Trench MOSFET产品系列的扩展
IXFP22N60P3	IXYS	获取价格	Polar3 HiperFET Power MOSFETs
IXFP22N60P3	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,

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