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IXFP180N10T2

更新时间： 2024-11-02 11:14:03
品牌 Logo 应用领域
IXYS /
页数 文件大小 规格书
6页 207K
描述
TrenchT2 HiperFET Power MOSFET

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IXFP180N10T2 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-220AB
包装说明：PLASTIC PACKAGE-3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.81其他特性：AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：750 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：180 A最大漏极电流 (ID)：180 A
最大漏源导通电阻：0.006 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：480 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：450 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON

IXFP180N10T2 数据手册

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Preliminary Technical Information  
TrenchT2TM HiperFETTM  
Power MOSFET  
VDSS = 100V  
ID25 = 180A  
RDS(on) ≤ 6mΩ  
IXFA180N10T2  
IXFP180N10T2  
N-Channel Enhancement Mode  
Avalanche Rated  
TO-263 AA (IXFA)  
Fast Intrinsic Rectifier  
G
S
D (Tab)  
Symbol  
VDSS  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
TJ = 25°C to 175°C  
TJ = 25°C to 175°C, RGS = 1MΩ  
100  
100  
V
V
TO-220AB (IXFP)  
VDGR  
VGSS  
VGSM  
Continuous  
Transient  
±20  
±30  
V
V
ID25  
ILRMS  
IDM  
TC = 25°C (Chip Capability)  
Lead Current Limit, RMS  
TC = 25°C, Pulse Width Limited by TJM  
180  
120  
450  
A
A
A
G
D
D (Tab)  
= Drain  
S
IA  
TC = 25°C  
TC = 25°C  
90  
A
G = Gate  
D
S = Source  
Tab = Drain  
EAS  
750  
mJ  
dv/dt  
PD  
IS ≤ IDM, VDD ≤ VDSS, TJ ≤ 175°C  
TC = 25°C  
15  
V/ns  
W
480  
Features  
TJ  
-55 ... +175  
175  
°C  
°C  
°C  
z International Standard Packages  
z Avalanche Rated  
TJM  
Tstg  
-55 ... +175  
z 175°C Operating Temperature  
z High Current Handling Capability  
z Fast Intrinsic Rectifier  
TL  
Tsold  
1.6mm (0.062in.) from Case for 10s  
Plastic Body for 10 Seconds  
300  
260  
°C  
°C  
z
Md  
Mounting Torque (TO-220)  
1.13 / 10  
Nm/lb.in.  
Low RDS(on)  
Weight  
TO-263  
TO-220  
2.5  
3.0  
g
g
Advantages  
z
Easy to Mount  
Space Savings  
High Power Density  
z
z
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25°C Unless Otherwise Specified)  
Min. Typ.  
Max.  
Applications  
BVDSS  
VGS(th)  
IGSS  
VGS = 0V, ID = 250μA  
VDS = VGS, ID = 250μA  
VGS = ± 20V, VDS = 0V  
VDS = VDSS, VGS= 0V  
100  
2.0  
V
V
z DC-DC Converters  
z Battery Chargers  
4.0  
z Switch-Mode and Resonant-Mode  
Power Supplies  
±100 nA  
IDSS  
10 μA  
z DC Choppers  
z AC Motor Drives  
TJ = 150°C  
VGS = 10V, ID = 50A, Notes 1, 2  
750 μA  
z Uninterruptible Power Supplies  
z High Speed Power Switching  
Applications  
RDS(on)  
6 mΩ  
DS100266A(09/10)  
© 2010 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  
123456

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IXFP180N10T2 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IXTH200N10T IXYS

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 TrenchMVTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTQ200N10T IXYS

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IXFA180N10T2 IXYS

功能相似

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