5秒后页面跳转
IXFP30N25X3 PDF预览

IXFP30N25X3

更新时间: 2024-11-19 14:56:51
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE 开关栅极
页数 文件大小 规格书
7页 298K
描述
超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发,可提供出类拔萃的质量因数(导通电阻乘以栅极电荷),最大限度地降低传导和开关损耗。 该系列产品表现出业内最低的导通电阻。 凭借较低的反向恢复电荷

IXFP30N25X3 数据手册

 浏览型号IXFP30N25X3的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IXFP30N25X3的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IXFP30N25X3的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IXFP30N25X3的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IXFP30N25X3的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IXFP30N25X3的Datasheet PDF文件第7页 
X3-Class HiPERFETTM  
Power MOSFET  
IXFY30N25X3  
IXFA30N25X3  
IXFP30N25X3  
VDSS = 250V  
ID25 = 30A  
RDS(on) 60m  
N-Channel Enhancement Mode  
D
S
TO-252  
(IXFY)  
G
G
S
D (Tab)  
TO-263  
(IXFA)  
Symbol  
VDSS  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
G
S
TJ = 25C to 150C  
250  
250  
V
V
VDGR  
TJ = 25C to 150C, RGS = 1M  
D (Tab)  
VGSS  
VGSM  
Continuous  
Transient  
20  
30  
V
V
TO-220  
(IXFP)  
ID25  
IDM  
TC = 25C  
30  
45  
A
A
TC = 25C, Pulse Width Limited by TJM  
IA  
TC = 25C  
TC = 25C  
15  
A
G
D
S
EAS  
300  
mJ  
V/ns  
W
D (Tab)  
dv/dt  
PD  
IS IDM, VDD VDSS, TJ 150°C  
TC = 25C  
50  
G = Gate  
D
= Drain  
170  
S = Source  
Tab = Drain  
TJ  
-55 ... +150  
150  
C  
C  
C  
TJM  
Tstg  
-55 ... +150  
Features  
TL  
TSOLD  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s  
300  
260  
°C  
°C  
International Standard Packages  
Low RDS(ON) and QG  
Avalanche Rated  
FC  
Md  
Mounting Force (TO-263)  
Mounting Torque (TO-220)  
10..65 / 2.2..14.6  
1.13 / 10  
N/lb  
Nm/lb.in  
Low Package Inductance  
Weight  
TO-252  
TO-263  
TO-220  
0.35  
2.50  
3.00  
g
g
g
Advantages  
High Power Density  
Easy to Mount  
Space Savings  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25C, Unless Otherwise Specified)  
Min.  
Typ.  
Max.  
BVDSS  
VGS(th)  
IGSS  
VGS = 0V, ID = 250μA  
VDS = VGS, ID = 500μA  
VGS = 20V, VDS = 0V  
VDS = VDSS, VGS = 0V  
250  
V
V
Applications  
2.5  
4.5  
Switch-Mode and Resonant-Mode  
100 nA  
A  
Power Supplies  
DC-DC Converters  
PFC Circuits  
AC and DC Motor Drives  
IDSS  
5
TJ = 125C  
250 A  
RDS(on)  
VGS = 10V, ID = 0.5 ID25, Note 1  
48  
60 m  
Robotics and Servo Controls  
DS100848E(11/19)  
© 2019 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved.  

与IXFP30N25X3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXFP30N25X3M LITTELFUSE

获取价格

超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发,可提供出类拔萃的质量因数(导通电阻乘
IXFP30N60X LITTELFUSE

获取价格

采用快速体二极管的超级结X-Class功率MOSFET是坚固耐用的器件,具有业内最低的导通
IXFP34N60X2A LITTELFUSE

获取价格

MOSFET的本征快速体二极管HiPerFET展现出极强的软恢复特征,可最大限度地减少电磁
IXFP34N65X2 IXYS

获取价格

MOSFET N-CH 650V 34A TO-220
IXFP34N65X2 LITTELFUSE

获取价格

这些新型器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发,具有最低的导通电阻,以及低栅极电荷和卓越的
IXFP34N65X2M LITTELFUSE

获取价格

这些新型器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发,具有最低的导通电阻,以及低栅极电荷和卓越的
IXFP34N65X3 LITTELFUSE

获取价格

这款650V X3级超级结MOSFET采用快速体二极管。 这些产品的额定标称电流为34A,
IXFP36N20X3 LITTELFUSE

获取价格

超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发,可提供出类拔萃的质量因数(导通电阻乘
IXFP36N20X3M LITTELFUSE

获取价格

超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发,可提供出类拔萃的质量因数(导通电阻乘
IXFP36N30P3 LITTELFUSE

获取价格

PolarP3? HiPerFET?产品系列是针对300V, 500V至600V产品系列的