是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Transferred | 零件包装代码: | TO-220AB |
包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 8.55 | Is Samacsys: | N |
其他特性: | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级(Eas): | 850 mJ |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 75 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 230 A |
最大漏极电流 (ID): | 230 A | 最大漏源导通电阻: | 0.0042 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-220AB |
JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 | JESD-609代码: | e1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 175 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 480 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 700 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
IXTP230N075T2 | IXYS |
完全替代 |
TrenchT2TM Power MOSFET | |
IXTA230N075T2 | IXYS |
类似代替 |
N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated | |
IXFH230N075T2 | IXYS |
类似代替 |
TrenchT2 HiperFET Power MOSFET |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXFP24N60X | LITTELFUSE |
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采用快速体二极管的超级结X-Class功率MOSFET是坚固耐用的器件,具有业内最低的导通 | |
IXFP24N65X | ISC |
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isc N-Channel MOSFET Transistor | |
IXFP24N65X_18 | ISC |
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isc N-Channel MOSFET Transistor | |
IXFP26N30X3 | LITTELFUSE |
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超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发,可提供出类拔萃的质量因数(导通电阻乘 | |
IXFP26N50P3 | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, | |
IXFP26N65X2 | LITTELFUSE |
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650V X2级超级结MOSFET提供26A标称额定电流型号。 其采用标准TO-220封装 | |
IXFP270N06T3 | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, | |
IXFP30N25X3 | LITTELFUSE |
获取价格 |
超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发,可提供出类拔萃的质量因数(导通电阻乘 | |
IXFP30N25X3M | LITTELFUSE |
获取价格 |
超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发,可提供出类拔萃的质量因数(导通电阻乘 | |
IXFP30N60X | LITTELFUSE |
获取价格 |
采用快速体二极管的超级结X-Class功率MOSFET是坚固耐用的器件,具有业内最低的导通 |