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IXFP38N30X3M

更新时间： 2024-11-06 14:56:15

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力特 - LITTELFUSE		开关栅栅极
页数	文件大小	规格书
6页	515K
描述
超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，可提供出类拔萃的质量因数（导通电阻乘以栅极电荷），最大限度地降低传导和开关损耗。该系列产品表现出业内最低的导通电阻。凭借较低的反向恢复电荷

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IXFP38N30X3M 数据手册

MOSFET Datasheet

IXFP38N30X3M

300 V, 50 mΩ X3-Class HiPerFET^TMPower MOSFET

Features

■

International Standard Package

Plastic OvermoldedTab

Low R_DS(ON)and Q_G

Avalanche Rated

2500 V~ Electrical Isolation

Low Package Inductance

Advantages

■

High Power Density

Easy to Mount

Space Savings

Applications

■

Switch-Mode and Resonant-

Mode Power Supplies

DC-DC Converters

PFC Circuits

AC and DC Motor Drives

Robotics and Servo Controls

■

Pinout Diagram (OvermoldedTO-220)

Product Summary

Tab

Characteristics

V_DSS

Value

300

Unit

I_D25

R_DS(on),max

≤ 50

mΩ

D S

G: Gate; D: Drain; S: Source; Tab: Electrically Isolated

Speciﬁcations are subject to change without notice.

Revised: XZ 05/01/2023

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