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IXFP24N65X_18

更新时间： 2024-11-19 01:16:11

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无锡固电 - ISC		/
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isc N-Channel MOSFET Transistor

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IXFP24N65X_18 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc N-Channel MOSFET Transistor

IXFP24N65X

·FEATURES

·With low gate drive requirements

·Easy to drive

·100% avalanche tested

·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device

performance and reliable operation

·APPLICATIONS

·Switching applications

·ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_DSS

V_GSS

I_D

PARAMETER

VALUE

600

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

±30

Drain Current-Continuous

Drain Current-Single Pulsed

Total Dissipation

I_DM

P_D

400

℃

T_j

Operating Junction Temperature

Storage Temperature

-55~150

T_stg

·THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

℃/W

Rth(ch-c) Channel-to-case thermal resistance

0.31

isc website：www.iscsemi.cn

isc & iscsemi is registered trademark

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