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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.73 | 其他特性： | AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 850 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 75 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 230 A | 最大漏极电流 (ID)： | 230 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0042 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 480 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 700 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IXTA230N075T2 | IXYS |
完全替代  |
N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated |
|
| IXFH230N075T2 | IXYS |
完全替代 |
TrenchT2 HiperFET Power MOSFET |
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| IXFA230N075T2 | IXYS |
完全替代 |
TrenchT2 HiperFET Power MOSFET |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXTP240N055T | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 240A I(D), 55V, 0.0036ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
|
| IXTP24N65X2 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
|
| IXTP24N65X2 | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor |
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| IXTP24N65X2M | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
|
| IXTP24P085T | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 85V, 0.065ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IXTP24P085T | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
|
| IXTP260N055T2 | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 260A I(D), 55V, 0.0033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
|
| IXTP260N055T2 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
|
| IXTP26P10T | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 100V, 0.09ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
|
| IXTP26P10T | LITTELFUSE |
获取价格 |
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