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IXFP26N50P3

更新时间： 2024-09-14 05:30:51

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力特 - LITTELFUSE		/
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描述
Power Field-Effect Transistor,

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IXFP26N50P3 数据手册

Polar3^TMHiperFET^TM

PowerMOSFET

V_DSS= 500V

I_D25= 26A

R_DS(on) 250m

IXFA26N50P3

IXFP26N50P3

IXFQ26N50P3

IXFH26N50P3

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Fast Intrinsic Rectifier

TO-3P (IXFQ)

TO-263 (IXFA)

TO-220 (IXFP)

D (Tab)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

T_J= 25C to 150C

T_J= 25C to 150C, R_GS= 1M

Maximum Ratings

TO-247 (IXFH)

500

V_DGR

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

 30

 40

I_D25

I_DM

T_C= 25C

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

D (Tab)

D = Drain

G = Gate

S = Source

I_A

T_C= 25C

Tab = Drain

E_AS

300

dv/dt

P_D

I_S I_DM, V_DD V_DSS, T_J 150°C

T_C= 25C

V/ns

500

T_J

-55 ... +150

150



C

T_JM

T_stg

Features

-55 ... +150

^Fast Intrinsic Rectifier

^Avalanche Rated

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

Plastic Body for 10s

300

260

°C

^Low R_DS(ON)and Q_G

F_C

M_d

Mounting Force (TO-263)

10..65 / 2.2..14.6

N/lb

Nm/lb.in

^Low Package Inductance

Mounting Torque (TO-220, TO-3P & TO-247)

1.13 / 10

Weight

TO-263

TO-220

TO-3P

2.5

3.0

5.5

6.0

Advantages

TO-247

^High Power Density

^Easy to Mount

^Space Savings

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25C Unless Otherwise Specified)

Min.

500

3.0

Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 1mA

V_DS= V_GS, I_D= 4mA

V_GS= 30V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

Applications

5.0

^Switch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

^DC-DC Converters

          100 nA

I_DSS

25 A

^Laser Drivers

^AC and DC Motor Drives

^Robotics and Servo Controls

T_J= 125C

750 A

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

250 m

DS100457D(6/18)

12 3 4 5 6 7

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