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IXFP34N60X2A

更新时间： 2024-09-14 14:56:51

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		开关二极管
页数	文件大小	规格书
6页	201K
描述
MOSFET的本征快速体二极管HiPerFET展现出极强的软恢复特征，可最大限度地减少电磁干扰(EMI)，尤其是在半桥或全桥开关拓扑中。凭借较低的反向恢复电荷和时间，体二极管能够用于确保在高速开

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IXFP34N60X2A 数据手册

X2-Class HiPerFET^TM

Power MOSFET

V_DSS= 600V

I_D25= 34A

IXFP34N60X2A

R_DS(on) 100m

AEC Q101 Qualified

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-220

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

D (Tab)

T_J= 25C to 150C

600

V_DGR

T_J= 25C to 150C, R_GS= 1M

G = Gate

S = Source

= Drain

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

30

40

Tab = Drain

I_D25

I_DM

T_C= 25C

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

I_A

T_C= 25C

E_AS

dv/dt

P_D

I_S I_DM, V_DD V_DSS, T_J 150°C

T_C= 25C

V/ns

Features

540

T_J

-55 ... +150

150

C



International Standard Package

Low R_DS(ON)and Q_G

Avalanche Rated



T_JM

T_stg

-55 ... +150

Low Package Inductance

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C

Advantages

M_d

Mounting Torque

1.13 / 10

Nm/lb.in



High Power Density

Easy to Mount

Space Savings

Weight



Applications



Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

Switch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

DC-DC Converters

PFC Circuits

AC and DC Motor Drives

Robotics and Servo Controls

(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.



BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 1mA

V_DS= V_GS, I_D= 2.5mA

V_GS= 30V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

600



3.5

5.0



100 nA

I_DSS

10 A

T_J= 125C

1.75 mA

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

100 m

DS100912A(5/18)

12 3 4 5 6

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