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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | TO-220AB | 包装说明： | PLASTIC, TO-220, 3 PIN |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.68 | 其他特性： | AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 700 mJ | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 1000 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 2.2 A | 最大漏极电流 (ID)： | 2.2 A |
| 最大漏源导通电阻： | 3 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 46 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 16 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Pure Tin (Sn) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXFP4N60P3 | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IXFP4N60P3 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 2.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| IXFP4N85X | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IXFP4N85X | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IXFP4N85XM | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IXFP4N85XM | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IXFP50N20X3 | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IXFP50N20X3M | LITTELFUSE |
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超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，可提供出类拔萃的质量因数（导通电阻乘 |
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| IXFP56N30X3 | LITTELFUSE |
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超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，可提供出类拔萃的质量因数（导通电阻乘 |
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| IXFP56N30X3M | LITTELFUSE |
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超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，可提供出类拔萃的质量因数（导通电阻乘 |
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