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力特 - LITTELFUSE | / | |
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7页 | 356K | |
描述 | ||
PolarP3? HiPerFET?产品系列是针对300V, 500V至600V产品系列的基准高性能Polar系列产品系列的最新成员。 其高质量因数(FOM)是Qg的倍数,并在RDS(on)中可替 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXFP60N25X3 | LITTELFUSE |
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超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发,可提供出类拔萃的质量因数(导通电阻乘 | |
IXFP60N25X3M | LITTELFUSE |
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超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发,可提供出类拔萃的质量因数(导通电阻乘 | |
IXFP6N120P | IXYS |
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Polar HiPerFET Power MOSFET | |
IXFP6N120P | LITTELFUSE |
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功能与特色: 优点: 应用: | |
IXFP72N20X3 | LITTELFUSE |
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超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发,可提供出类拔萃的质量因数(导通电阻乘 | |
IXFP72N20X3M | LITTELFUSE |
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超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发,可提供出类拔萃的质量因数(导通电阻乘 | |
IXFP72N30X3 | LITTELFUSE |
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超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发,可提供出类拔萃的质量因数(导通电阻乘 | |
IXFP72N30X3M | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, | |
IXFP72N30X3M | LITTELFUSE |
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超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发,可提供出类拔萃的质量因数(导通电阻乘 | |
IXFP76N15T2 | IXYS |
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TrenchT2 HiperFET Power MOSFET |