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IXFP4N60P3

更新时间： 2024-11-20 21:22:19

品牌	Logo	应用领域
IXYS		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	160K
描述
Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 2.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, PLASTIC PACKAGE-3

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IXFP4N60P3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	End Of Life
零件包装代码：	TO-220AB	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	6.98	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	200 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	4 A	最大漏极电流 (ID)：	4 A
最大漏源导通电阻：	2.2 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	114 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	8 A
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXFP4N60P3 数据手册

Preliminary Technical Information

Polar3 ^TMHiPerFET^TM

Power MOSFETs

V_DSS= 600V

I_D25= 4A

R_DS(on) 2.2

IXFY4N60P3

IXFA4N60P3

IXFP4N60P3

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-252 (IXFY)

Fast Intrinsic Rectifier

D (Tab)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

TO-263 (IXFA)

T_J= 25C to 150C

600

V_DGR

T_J= 25C to 150C, R_GS= 1M

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

30

40

D (Tab)

I_D25

I_DM

T_C= 25C

TO-220 (IXFP)

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

I_A

T_C= 25C

E_AS

200

dv/dt

P_D

I_S I_DM, V_DD V_DSS, T_J 150C

T_C= 25C

V/ns

D (Tab)

114

G = Gate

S = Source

= Drain

T_J

-55 ... +150

150

C

Tab = Drain

T_JM

T_stg

-55 ... +150

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

Plastic Body for 10s

300

260

°C

Features



M_d

Mounting Torque (TO-220)

1.13 / 10

Nm/lb.in.

International Standard Packages

Fast Intrinsic Rectifier

Avalanche Rated

Low R_DS(ON)and Q_G

Low Package Inductance



Weight

TO-252

TO-263

TO-220

0.35

2.50

3.00

Advantages



High Power Density

Easy to Mount

Space Savings

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values



(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.



BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 1mA

V_DS= V_GS, I_D= 250μA

V_GS= 30V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

600

Applications

3.0

5.0



Switch-Mode and Resonant-Mode

100 nA

Power Supplies

DC-DC Converters

Laser Drivers

AC and DC Motor Drives



I_DSS

10 A

100 μA



T_J= 125C



R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

2.2



Robotics and Servo Controls

DS100427A(11/13)

12 3 4 5

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IXFP4N60P3 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXFY4N60P3	IXYS	完全替代	Power MOSFET
IXFA4N60P3	IXYS	类似代替	Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 2.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IXTP4N60P	IXYS	类似代替	Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o

与IXFP4N60P3相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFP4N85X	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFP4N85X	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFP4N85XM	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFP4N85XM	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFP50N20X3	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFP50N20X3M	LITTELFUSE	获取价格	超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，可提供出类拔萃的质量因数（导通电阻乘
IXFP56N30X3	LITTELFUSE	获取价格	超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，可提供出类拔萃的质量因数（导通电阻乘
IXFP56N30X3M	LITTELFUSE	获取价格	超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，可提供出类拔萃的质量因数（导通电阻乘
IXFP5N100P	IXYS	获取价格	Polar Power MOSFET HiPerFET
IXFP5N100P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:

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