Datasheet > IXFP76N15T2

IXFP76N15T2

更新时间： 2024-11-18 11:14:03

品牌	Logo	应用领域
IXYS		/
页数	文件大小	规格书
6页	179K
描述
TrenchT2 HiperFET Power MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXFP76N15T2 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	PLASTIC PACKAGE-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	4.48	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	500 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	150 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	76 A	最大漏极电流 (ID)：	76 A
最大漏源导通电阻：	0.02 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	350 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	200 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXFP76N15T2 数据手册

Advance Technical Information

TrenchT2^TMHiperFET^TM

Power MOSFET

V_DSS= 150V

I_D25= 76A

R_DS(on)≤ 20mΩ

IXFA76N15T2

IXFP76N15T2

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-263 AA (IXFA)

Fast Intrnsic Rectifier

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

D (TAB)

T_J= 25°C to 175°C

T_J= 25°C to 175°C, R_GS= 1MΩ

150

TO-220AB (IXFP)

V_DGR

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

± 20

± 30

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, Pulse Width Limited by T_JM

200

D (TAB)

= Drain

I_A

T_C= 25°C

E_AS

500

G = Gate

S = Source

TAB = Drain

dV/dt

P_D

I_S≤ I_DM,, V_DD≤ V_DSS,T_J≤ 175°C

T_C= 25°C

V/ns

350

Features

T_J

-55 ... +175

175

°C

T_JM

T_stg

^zInternational Standard Packages

^z175°C Operating Temperature

^zHigh Current Handling Capability

^zFast Intrinsic Rectifier

-55 ... +175

T_L

T_sold

1.6mm (0.062in.) from Case for 10s

Plastic Body for 10 seconds

300

260

°C

^zDynamic dV/dt Rated

M_d

Mounting Torque (TO-220)

1.13 / 10

Nm/lb.in.

Low R_DS(on)

Weight

TO-263

TO-220

2.5

3.0

Advantages

Easy to Mount

Space Savings

High Power Density

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C Unless Otherwise Specified)

Min. Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250μA

V_DS= V_GS, I_D= 250μA

V_GS= ± 20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

150

2.5

Applications

4.5

^zDC-DC Converters

^zBattery Chargers

±200 nA

μA

^zSwitched-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

I_DSS

T_J= 150°C

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Notes 1, 2

750 μA

20 mΩ

^zDC Choppers

^zAC Motor Drives

R_DS(on)

^zUninterruptible Power Supplies

^zHigh Speed Power Switching

Applications

DS100176(08/09)

12 3 4 5 6

中文翻译

下载PDF

IXFP76N15T2 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXFA76N15T2	IXYS	类似代替	TrenchT2 HiperFET Power MOSFET

与IXFP76N15T2相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFP7N100P	IXYS	获取价格	Polar HiPerFET Power MOSFET
IXFP7N100P	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 1000V, 1.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IXFP7N60P3	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 600V, 1.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IXFP7N60P3	LITTELFUSE	获取价格	PolarP3? HiPerFET?产品系列是针对300V, 500V至600V产品系列的
IXFP7N80P	IXYS	获取价格	Polar HiPerFET Power MOSFET
IXFP7N80P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFP7N80PM	IXYS	获取价格	PolarHV HiPerFET Power MOSFET
IXFP7N80PM	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFP80N25X3	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFP8N50P3	LITTELFUSE	获取价格	PolarP3? HiPerFET?产品系列是针对300V, 500V至600V产品系列的

与IXFP76N15T2相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

17
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

12
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

42
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

37

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXFP76N15T2

IXFP76N15T2 技术参数

IXFP76N15T2 数据手册

IXFP76N15T2 替代型号

与IXFP76N15T2相关器件

与IXFP76N15T2相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXFP76N15T2

IXFP76N15T2 技术参数

IXFP76N15T2 数据手册

IXFP76N15T2 替代型号

与IXFP76N15T2相关器件

与IXFP76N15T2相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？