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IXFP76N15T2

更新时间： 2024-09-15 11:14:03

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描述
TrenchT2 HiperFET Power MOSFET

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IXFP76N15T2 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	PLASTIC PACKAGE-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	4.48	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	500 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	150 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	76 A	最大漏极电流 (ID)：	76 A
最大漏源导通电阻：	0.02 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	350 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	200 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXFP76N15T2 数据手册

Advance Technical Information

TrenchT2^TMHiperFET^TM

Power MOSFET

V_DSS= 150V

I_D25= 76A

R_DS(on)≤ 20mΩ

IXFA76N15T2

IXFP76N15T2

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-263 AA (IXFA)

Fast Intrnsic Rectifier

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

D (TAB)

T_J= 25°C to 175°C

T_J= 25°C to 175°C, R_GS= 1MΩ

150

TO-220AB (IXFP)

V_DGR

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

± 20

± 30

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, Pulse Width Limited by T_JM

200

D (TAB)

= Drain

I_A

T_C= 25°C

E_AS

500

G = Gate

S = Source

TAB = Drain

dV/dt

P_D

I_S≤ I_DM,, V_DD≤ V_DSS,T_J≤ 175°C

T_C= 25°C

V/ns

350

Features

T_J

-55 ... +175

175

°C

T_JM

T_stg

^zInternational Standard Packages

^z175°C Operating Temperature

^zHigh Current Handling Capability

^zFast Intrinsic Rectifier

-55 ... +175

T_L

T_sold

1.6mm (0.062in.) from Case for 10s

Plastic Body for 10 seconds

300

260

°C

^zDynamic dV/dt Rated

M_d

Mounting Torque (TO-220)

1.13 / 10

Nm/lb.in.

Low R_DS(on)

Weight

TO-263

TO-220

2.5

3.0

Advantages

Easy to Mount

Space Savings

High Power Density

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C Unless Otherwise Specified)

Min. Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250μA

V_DS= V_GS, I_D= 250μA

V_GS= ± 20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

150

2.5

Applications

4.5

^zDC-DC Converters

^zBattery Chargers

±200 nA

μA

^zSwitched-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

I_DSS

T_J= 150°C

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Notes 1, 2

750 μA

20 mΩ

^zDC Choppers

^zAC Motor Drives

R_DS(on)

^zUninterruptible Power Supplies

^zHigh Speed Power Switching

Applications

DS100176(08/09)

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFP7N100P	IXYS	获取价格	Polar HiPerFET Power MOSFET
IXFP7N100P	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 1000V, 1.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IXFP7N60P3	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 600V, 1.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IXFP7N60P3	LITTELFUSE	获取价格	PolarP3? HiPerFET?产品系列是针对300V, 500V至600V产品系列的
IXFP7N80P	IXYS	获取价格	Polar HiPerFET Power MOSFET
IXFP7N80P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFP7N80PM	IXYS	获取价格	PolarHV HiPerFET Power MOSFET
IXFP7N80PM	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFP80N25X3	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFP8N50P3	LITTELFUSE	获取价格	PolarP3? HiPerFET?产品系列是针对300V, 500V至600V产品系列的

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