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IXFP7N100P

更新时间： 2024-11-18 19:42:55

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	337K
描述
Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 1000V, 1.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, PLASTIC PACKAGE-3

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IXFP7N100P 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	PLASTIC PACKAGE-3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.22	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	300 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	1000 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	7 A	最大漏极电流 (ID)：	7 A
最大漏源导通电阻：	1.9 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	300 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	18 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXFP7N100P 数据手册

Polar ^TMHiPerFET^TM

Power MOSFET

V_DSS= 1000V

I_D25= 7A

R_DS(on) 1.9

IXFA7N100P

IXFP7N100P

IXFH7N100P

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-263 (IXFA)

Fast Intrinsic Rectifier

D (Tab)

TO-220 (IXFP)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25C to 150C

1000

V_DGR

T_J= 25C to 150C, R_GS= 1M

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

30

40

D (Tab)

I_D25

I_DM

T_C= 25C

TO-247 (IXFH)

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

I_A

T_C= 25C

E_AS

300

dv/dt

P_D

I_S I_DM, V_DD V_DSS, T_J 150C

T_C= 25C

V/ns

D (Tab)

300

T_J

-55 ... +150

150

C

G = Gate

S = Source

= Drain

T_JM

T_stg

Tab = Drain

-55 ... +150

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

Plastic Body for 10s

300

260

°C

Features

F_C

M_d

Mounting Force (TO-263)

Mounting Torque (TO-220 & TO-247)

10..65 / 2.2..14.6

1.13 / 10

N/lb

Nm/lb.in



International Standard Packages

Fast Intrinsic Rectifier

Avalanche Rated

Low R_DS(ON)and Q_G

Low Package Inductance



Weight

TO-263

TO-220

TO-247

2.5

3.0

6.0

Advantages



Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

High Power Density

Easy to Mount

Space Savings



(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.



BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250A

V_DS= V_GS, I_D= 1mA

V_GS= 30V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

1000

3.0

6.0

Applications

100 nA



Switch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

DC-DC Converters

Laser Drivers

AC and DC Motor Drives

Robotics and Servo Controls

I_DSS

15 A

1 mA



T_J= 125C



R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

1.9





DS99924D(11/18)

12 3 4 5 6 7

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