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IXFP7N80P

更新时间： 2024-11-22 14:56:51

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力特 - LITTELFUSE		/
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IXFP7N80P 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.71	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	300 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	800 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	7 A	最大漏极电流 (ID)：	7 A
最大漏源导通电阻：	1.44 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	200 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	18 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Pure Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXFP7N80P 数据手册

Polar^TMHiPerFET^TM

Power MOSFET

V_DSS= 800V

I_D25= 7A

IXFA7N80P

IXFP7N80P

R_DS(on) 1.44

t_rr

 250ns

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Fast Intrinsic Rectifier

TO-263

(IXFA)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

D (Tab)

T_J= 25C to 150C

T_J= 25C to 150C, R_GS= 1M

800

TO-220

(IXFP)

V_DGR

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

30

40

I_D25

I_DM

T_C= 25C

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

D (Tab)

I_A

T_C= 25C

G = Gate

S = Source Tab = Drain

= Drain

E_AS

300

dv/dt

P_D

I_S I_DM, V_DD V_DSS, T_J 150C

T_C= 25C

V/ns

200

T_J

-55 ... +150

150



C

Features

T_JM

T_stg

^International Standard Packages

^Dynamic dv/dt Rating

^Avalanche Rated

^Fast Intrinsic Rectifier

^Low Q_G

-55 ... +150

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C

F_C

M_d

Mounting Force (TO-263)

Mounting Torque (TO-220)

10..65 / 2.2..14.6

1.13 / 10

N/lb

Nm/lb.in

Weight

TO-263

TO-220

2.5

3.0

Advantages



Easy to Mount

Space Savings



Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25C Unless Otherwise Specified)

Min. Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250A

V_DS= V_GS, I_D= 1mA

V_GS=  30V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

800

3.0

Applications

5.0

^DC-DC Converters

^Battery Chargers

            100 nA

^Switch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

I_DSS

25 A

^Uninterrupted Power Supplies

^AC Motor Drives

T_J= 125C

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Notes 1, 2

500  A

R_DS(on)

1.44



^High Speed Power Switching

Applications

DS99597G(11/18)

12 3 4 5

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