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IXFP7N80PM

更新时间： 2024-11-07 14:56:19

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力特 - LITTELFUSE		/
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IXFP7N80PM 数据手册

PolarHV^TMHiPerFET

Power MOSFET

V_DSS= 800 V

I_D25= 3.5 A

R_DS(on)≤ 1.44 Ω

t_rr≤ 250 ns

IXFP7N80PM

(Electrically Isolated Tab)

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Fast Intrinsic Diode

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

OVERMOLDED TO-220

(IXTP...M) OUTLINE

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

800

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

3.5

Isolated Tab

I_AR

E_AR

E_AS

T_C= 25°C

300

G = Gate

D = Drain

S = Source

dv/dt

P_D

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/μs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 10 Ω

V/ns

T_C= 25°C

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

Features

^zPlastic overmolded tab for electrical

isolation

^zFast intrinsic diode

^zInternational standard package

^zUnclamped Inductive Switching (UIS)

rated

^zLow package inductance

- easy to drive and to protect

T_L

T_SOLD

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Plastic body for 10 s

300

260

°C

M_d

Weight

Mounting torque

1.13/10 Nm/lb.in.

3.0

Advantages

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

Easy to mount

Space savings

High power density

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 μA

V_DS= V_GS, I_D= 1 mA

V_GS= 30 V, V_DS= 0 V

800

3.0

5.0

100

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

500

μA

T_J= 125°C

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 3.5 A

Note 1

1.44

DS99598E(08/06)

12 3 4 5

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