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IXFP7N80PM

更新时间: 2024-11-18 11:14:03
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页数 文件大小 规格书
4页 80K
描述
PolarHV HiPerFET Power MOSFET

IXFP7N80PM 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Transferred零件包装代码:TO-220AB
包装说明:TO-220, 3 PIN针数:3
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.7
其他特性:AVALANCHE RATED雪崩能效等级(Eas):300 mJ
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:800 V最大漏极电流 (ID):3.5 A
最大漏源导通电阻:1.44 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-220ABJESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e3元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子面层:Matte Tin (Sn)端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

IXFP7N80PM 数据手册

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PolarHVTM HiPerFET  
Power MOSFET  
VDSS = 800 V  
ID25 = 3.5 A  
RDS(on) 1.44 Ω  
trr 250 ns  
IXFP7N80PM  
(Electrically Isolated Tab)  
N-Channel Enhancement Mode  
Avalanche Rated  
Fast Intrinsic Diode  
Symbol  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
OVERMOLDED TO-220  
(IXTP...M) OUTLINE  
VDSS  
VDGR  
TJ = 25°C to 150°C  
TJ = 25°C to 150°C; RGS = 1 MΩ  
800  
800  
V
V
VGSS  
VGSM  
Continuous  
Transient  
30  
40  
V
V
ID25  
IDM  
TC = 25°C  
TC = 25°C, pulse width limited by TJM  
3.5  
18  
A
A
Isolated Tab  
G
D
S
IAR  
EAR  
EAS  
TC = 25°C  
TC = 25°C  
TC = 25°C  
4
20  
300  
A
mJ  
mJ  
G = Gate  
D = Drain  
S = Source  
dv/dt  
PD  
IS IDM, di/dt 100 A/μs, VDD VDSS  
TJ 150°C, RG = 10 Ω  
,
10  
V/ns  
TC = 25°C  
50  
W
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 ... +150  
150  
-55 ... +150  
°C  
°C  
°C  
Features  
z Plastic overmolded tab for electrical  
isolation  
z Fast intrinsic diode  
z International standard package  
z Unclamped Inductive Switching (UIS)  
rated  
z Low package inductance  
- easy to drive and to protect  
TL  
TSOLD  
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s  
Plastic body for 10 s  
300  
260  
°C  
°C  
Md  
Weight  
Mounting torque  
1.13/10 Nm/lb.in.  
3.0  
g
Advantages  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25°C, unless otherwise specified)  
Min. Typ.  
Max.  
z
Easy to mount  
Space savings  
High power density  
z
BVDSS  
VGS(th)  
IGSS  
VGS = 0 V, ID = 250 μA  
VDS = VGS, ID = 1 mA  
VGS = 30 V, VDS = 0 V  
800  
V
V
z
3.0  
5.0  
100  
nA  
IDSS  
VDS = VDSS  
VGS = 0 V  
25  
500  
μA  
μA  
TJ = 125°C  
RDS(on)  
VGS = 10 V, ID = 3.5 A  
Note 1  
1.44  
Ω
DS99598E(08/06)  
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