是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | TO-3P |
包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.76 |
其他特性: | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级(Eas): | 1500 mJ |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 500 V | 最大漏极电流 (ID): | 26 A |
最大漏源导通电阻: | 0.2 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 | JESD-609代码: | e3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 104 A |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | NO |
端子面层: | PURE TIN | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXFQ26N60P | IXYS |
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N-Channel Enhancement Mode Fast Recovery Diode Avalanche Rated | |
IXFQ28N60P3 | IXYS |
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Polar3 HiperFET Power MOSFETs | |
IXFQ28N60P3 | LITTELFUSE |
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PolarP3? HiPerFET?产品系列是针对300V, 500V至600V产品系列的 | |
IXFQ30N50P | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 500V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta | |
IXFQ30N60X | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, | |
IXFQ30N60X | LITTELFUSE |
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采用快速体二极管的超级结X-Class功率MOSFET是坚固耐用的器件,具有业内最低的导通 | |
IXFQ34N50P3 | LITTELFUSE |
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PolarP3? HiPerFET?产品系列是针对300V, 500V至600V产品系列的 | |
IXFQ50N50P3 | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, | |
IXFQ50N50P3 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, | |
IXFQ50N60P3 | IXYS |
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Polar3 HiperFET Power MOSFET |