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力特 - LITTELFUSE | / | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
6页 | 173K | |
描述 | ||
PolarP3? HiPerFET?产品系列是针对300V, 500V至600V产品系列的基准高性能Polar系列产品系列的最新成员。 其高质量因数(FOM)是Qg的倍数,并在RDS(on)中可替 |
生命周期: | Active | 包装说明: | , |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.67 |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXFQ50N60X | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, | |
IXFQ50N60X | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, | |
IXFQ60N25X3 | LITTELFUSE |
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超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发,可提供出类拔萃的质量因数(导通电阻乘 | |
IXFQ60N50P3 | IXYS |
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Polar3 HiperFET Power MOSFET | |
IXFQ60N50P3 | LITTELFUSE |
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PolarP3? HiPerFET?产品系列是针对300V, 500V至600V产品系列的 | |
IXFQ60N60X | LITTELFUSE |
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采用快速体二极管的超级结X-Class功率MOSFET是坚固耐用的器件,具有业内最低的导通 | |
IXFQ72N20X3 | LITTELFUSE |
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超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发,可提供出类拔萃的质量因数(导通电阻乘 | |
IXFQ72N30X3 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, | |
IXFQ72N30X3 | LITTELFUSE |
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超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发,可提供出类拔萃的质量因数(导通电阻乘 | |
IXFQ80N25X3 | LITTELFUSE |
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超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发,可提供出类拔萃的质量因数(导通电阻乘 |