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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.72 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 1000 mJ | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 1000 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 9 A | 最大漏源导通电阻： | 1.2 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| JESD-609代码： | e1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 40 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXFR10N100Q | IXYS |
获取价格 |
N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dV/dt Low Gate Charge and Capacitances |
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| IXFR120N20 | IXYS |
获取价格 |
HiPerFETTM Power MOSFETs ISOPLUS247 |
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| IXFR120N20 | LITTELFUSE |
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功能与特色: 应用: 优点: |
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| IXFR12N100F | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFETs ISOPLUS247 |
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| IXFR12N100Q | IXYS |
获取价格 |
N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dV/dt Low Gate Charge and Capacitances |
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| IXFR12N100Q | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 应用: 优点: |
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| IXFR140N20P | IXYS |
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PolarHT HiPerFET Power MOSFET ISOPLUS247 |
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| IXFR140N20P | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 优点: 应用: |
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| IXFR140N30P | IXYS |
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Polar Power MOSFET HiPerFET |
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| IXFR140N30P | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 优点: 应用: |
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