是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | Transferred |
包装说明: | IN-LINE, R-PSIP-T3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.72 |
Is Samacsys: | N | 其他特性: | AVALANCHE RATED |
雪崩能效等级(Eas): | 1000 mJ | 外壳连接: | ISOLATED |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 1000 V |
最大漏极电流 (ID): | 9 A | 最大漏源导通电阻: | 1.2 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-PSIP-T3 |
JESD-609代码: | e1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 40 A | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXFR10N100Q | IXYS |
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N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dV/dt Low Gate Charge and Capacitances | |
IXFR120N20 | IXYS |
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HiPerFETTM Power MOSFETs ISOPLUS247 | |
IXFR120N20 | LITTELFUSE |
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功能与特色: 应用: 优点: | |
IXFR12N100F | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs ISOPLUS247 | |
IXFR12N100Q | IXYS |
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N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dV/dt Low Gate Charge and Capacitances | |
IXFR12N100Q | LITTELFUSE |
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功能与特色: 应用: 优点: | |
IXFR140N20P | IXYS |
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PolarHT HiPerFET Power MOSFET ISOPLUS247 | |
IXFR140N20P | LITTELFUSE |
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功能与特色: 优点: 应用: | |
IXFR140N30P | IXYS |
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Polar Power MOSFET HiPerFET | |
IXFR140N30P | LITTELFUSE |
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功能与特色: 优点: 应用: |