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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | PLASTIC, ISOPLUS247, 3 PIN |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 4.46 | 其他特性： | AVALANCHE RATED, UL RECOGNIZED |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 1000 mJ | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 1000 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 10 A | 最大漏极电流 (ID)： | 10 A |
| 最大漏源导通电阻： | 1.2 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 400 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 45 A | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IXFR12N100Q | IXYS |
类似代替  |
N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dV/dt Low Gate Charge and Capacitances |
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| IXFR10N100Q | IXYS |
类似代替 |
N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dV/dt Low Gate Charge and Capacitances |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXFR15N80Q | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFETs ISOPLUS247 Q Class |
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| IXFR16N120P | IXYS |
获取价格 |
Polar Power MOSFET HiPerFET |
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| IXFR16N120P | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 优点: 应用: |
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| IXFR180N06 | IXYS |
获取价格 |
HiPerFETTM Power MOSFETs |
|
| IXFR180N06 | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 应用: 优点: |
|
| IXFR180N07 | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFETs ISOPLUS247 |
|
| IXFR180N07 | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 应用: 优点: |
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| IXFR180N085 | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET-TM Power MOSFETs ISOPLUS247-TM (Electrically Isolated Back Surface) |
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| IXFR180N085 | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 应用: 优点: |
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| IXFR180N10 | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFETs ISOPLUS247 |
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