5秒后页面跳转
| 品牌 | Logo | 应用领域 |
| 力特 - LITTELFUSE |  |
/ |
| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 5页 | 133K |  |
| 描述 | ||
| 功能与特色: 优点: 应用: | ||
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.76 | 其他特性： | AVALANCHE RATED, UL RECOGNIZED |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 800 mJ | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 900 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 10.5 A | 最大漏极电流 (ID)： | 10.5 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.66 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | JESD-609代码： | e1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 200 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 36 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXFR200N10P | IXYS |
获取价格 |
PolarTM HiPerFET Power MOSFET |
|
| IXFR200N10P | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 优点: 应用: |
|
| IXFR200N10P_06 | IXYS |
获取价格 |
Polar HiPerFET Power MOSFET |
|
| IXFR20N100P | IXYS |
获取价格 |
Polar Power MOSFET HiPerFET |
|
| IXFR20N100P | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 优点: 应用: |
|
| IXFR20N120P | IXYS |
获取价格 |
Polar Power MOSFET HiPerFET |
|
| IXFR20N120P | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 优点: 应用: |
|
| IXFR20N80P | IXYS |
获取价格 |
PolarHV HiPerFET Power MOSFET |
|
| IXFR20N80P | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 优点: 应用: |
|
| IXFR21N100Q | IXYS |
获取价格 |
HiPerFETTM Power MOSFETs ISOPLUS247TM (Electrically Isolated Back Surface) |
|
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
