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IXFR20N120P

更新时间： 2024-11-07 14:56:11

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力特 - LITTELFUSE		/
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IXFR20N120P 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.76	Is Samacsys：	N
其他特性：	UL RECOGNIZED, AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	1000 mJ
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	1200 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	13 A
最大漏极电流 (ID)：	13 A	最大漏源导通电阻：	0.63 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	290 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	50 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXFR20N120P 数据手册

Polar^TMPower MOSFET

HiPerFET^TM

V_DSS= 1200V

I_D25= 13A

R_DS(on)≤ 630mΩ

≤ 300ns

IXFR20N120P

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Fast Intrinsic Diode

t_rr

ISOPLUS247 (IXFR)

E153432

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25°C to 150°C

1200

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

± 30

± 40

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

Isolated Tab

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

I_A

T_C= 25°C

G = Gate

S = Source

= Drain

E_AS

dV/dt

P_D

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 150°C

T_C= 25°C

V/ns

Features

290

• Silicon chip on Direct-Copper-Bond

substrate

- High power dissipation

- Isolated mounting surface

- 2500V electrical isolation

T_J

-55 ... +150

150

°C

T_JM

T_stg

-55 ... +150

• Low drain to tab capacitance(<30pF)

T_L

Maximum lead temperature for soldering

Plastic body for 10s

300

260

°C

• Low R

HDMOS^TMprocess

• Rugge^Dd^Sp^(ono⁾lysilicon gate cell structure

T_SOLD

V_ISOL

F_C

• Unclamped Inductive Switching (UIS)

• F^raa^ts^et^dintrinsic Rectifier

50/60 Hz, RMS, 1 minute

Mounting force

2500

20..120/4.5..27

N/lb.

Advantages

Weight

• Easy assembly

• Space savings

• High power density

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

Applications:

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Min.

Typ. Max.

^zHigh Voltage Switched-mode and

resonant-mode power supplies

^zHigh Voltage Pulse Power Applications

^zHigh Voltage Discharge circuits in

Lasers Pulsers, Spark Igniters, RF

Generators

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 1mA

V_DS= V_GS, I_D= 1mA

V_GS= ± 30V, V_DS= 0V

1200

3.5

6.5

± 200 nA

25 μA

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0V

^zHigh Voltage DC-DC converters

^zHigh Voltage DC-AC inverters

T_J= 125°C

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 10A, Note 1

630 mΩ

DS99888A (04/08)

12 3 4 5

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFR20N80P	IXYS	获取价格	PolarHV HiPerFET Power MOSFET
IXFR20N80P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFR21N100Q	IXYS	获取价格	HiPerFETTM Power MOSFETs ISOPLUS247TM (Electrically Isolated Back Surface)
IXFR21N100Q	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用: 优点:
IXFR21N100Q_03	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs ISOPLUS247
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IXFR24N100	IXYS	获取价格	HiPerFETTM Power MOSFETs ISOPLUS247TM(Electrically Isolated Back Surface)
IXFR24N100	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用: 优点:
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IXFR24N100Q3	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 1000V, 0.49ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me

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