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IXFR1810

更新时间： 2024-11-18 20:06:15

品牌	Logo	应用领域
IXYS		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	63K
描述
Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 500V, 0.21ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ISOPLUS247, 3 PIN

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IXFR1810 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	包装说明：	ISOPLUS247, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.76	其他特性：	AVALANCHE RATED, UL RECOGNIZED
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	500 V	最大漏极电流 (ID)：	24 A
最大漏源导通电阻：	0.21 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	JESD-609代码：	e1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	96 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN SILVER COPPER	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXFR1810 数据手册

HiPerFET^TMPower MOSFETs

ISOPLUS247^TM

V_DSS= 500 V

I_D25= 24 A

R_DS(on)=0.21 Ω

IXFR 1810

(Electrically Isolated Backside)

kJ`Ü~ååÉä= båÜ~åÅÉãÉåí= jçÇÉ

^î~ä~åÅÜÉ=o~íÉÇI=eáÖÜ=ÇîLÇíI=içï=í

t ≤ 250 ns

êê

Preliminary data sheet

ISOPLUS247^TM

E153432

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

q_gZ=OR°`=íç=NRM°`

q_gZ=OR°`=íç=NRM°`X=o_dp=Z=N=jΩ

RMM

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V_GSM

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q_g≤=NRM°`I=o_d=Z=O=Ω

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Features

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q_`Z= OR°`

ORM

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Weight

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Applications

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éçïÉê= ëìééäáÉë

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

Eq_g=Z=OR°`I=ìåäÉëë=çíÜÉêïáëÉ=ëéÉÅáÑáÉÇF

min. typ. max.

• a`= ÅÜçééÉêë

• ^`=ãçíçê=Åçåíêçä

V_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 250µ^

V_DS= V_GS, I_D= 4mA

500

4 V

Advantages

========s_dp==Z=±OM=sI=s_ap=Z=M

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I_DSS

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R_DS(on)

========s_dp==Z=NM=sI=f_a=Z=f_q

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MKON

Ω

«=OMMM=fuvp=^ää=êáÖÜíë=êÉëÉêîÉÇ

VUTSSENOLMMF

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