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IXFR26N100P

更新时间： 2024-09-16 14:56:43

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力特 - LITTELFUSE		/
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IXFR26N100P 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.74	其他特性：	UL RECOGNIZED, AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	1000 mJ	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	1000 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	15 A	最大漏极电流 (ID)：	15 A
最大漏源导通电阻：	0.43 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	JESD-609代码：	e1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	290 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	65 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXFR26N100P 数据手册

Polar^TMPower MOSFET

HiPerFET^TM

V_DSS= 1000V

I_D25= 15A

R_DS(on)≤ 430mΩ

≤ 300ns

IXFR26N100P

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Fast Intrinsic Diode

t_rr

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

ISOPLUS247 (IXFR)

E153432

T_J= 25°C to 150°C

1000

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

± 30

± 40

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

Isolated Tab

I_AR

E_AS

T_C= 25°C

G = Gate

= Drain

S = Source

dV/dt

P_D

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 150°C

T_C= 25°C

V/ns

290

T_J

-55 ... +150

150

°C

Features

T_JM

T_stg

• Silicon chip on Direct-Copper-Bond

substrate

-55 ... +150

- High power dissipation

- Isolated mounting surface

T_L

Maximum lead temperature for soldering

Plastic body for 10s

300

260

°C

• L^-o²w⁵⁰d⁰r^Vai^en^leto^ctt^ra^icb^ac^la^isp^oa^lac^tit^ioaⁿnce(<30pF)

• Rugged polysilicon gate cell structure

• Unclamped Inductive Switching (UIS)

T_SOLD

V_ISOL

F_C

50/60 Hz, RMS, 1 minute

Mounting force

2500

20..120/4.5..27

N/lb.

• F^raa^ts^et^dintrinsic Rectifier

Weight

Applications

• Switched-mode and resonant-mode

power supplies

• DC-DC converters

• Laser Drivers

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

• AC and DC motor controls

• Robotics and servo controls

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Min.

Typ. Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 3mA

V_DS= V_GS, I_D= 1mA

V_GS= ± 30V, V_DS= 0V

1000

3.5

Advantages

6.5

• Easy assembly

• Space savings

• High power density

± 200 nA

25 μA

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0V

T_J= 125°C

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 13A, Note 1

430 mΩ

DS99882A(4/08)

12 3 4 5

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