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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.38 | 其他特性： | UL RECOGNIZED, AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 500 mJ | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 1000 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 11 A | 最大漏极电流 (ID)： | 11 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.64 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | JESD-609代码： | e1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 230 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 50 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXFR20N120P | IXYS |
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Polar Power MOSFET HiPerFET |
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| IXFR20N120P | LITTELFUSE |
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功能与特色: 优点: 应用: |
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| IXFR20N80P | IXYS |
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PolarHV HiPerFET Power MOSFET |
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| IXFR20N80P | LITTELFUSE |
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功能与特色: 优点: 应用: |
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| IXFR21N100Q | IXYS |
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HiPerFETTM Power MOSFETs ISOPLUS247TM (Electrically Isolated Back Surface) |
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| IXFR21N100Q | LITTELFUSE |
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功能与特色: 应用: 优点: |
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| IXFR21N100Q_03 | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs ISOPLUS247 |
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| IXFR230N20T | LITTELFUSE |
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沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低 |
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| IXFR24N100 | IXYS |
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HiPerFETTM Power MOSFETs ISOPLUS247TM(Electrically Isolated Back Surface) |
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| IXFR24N100 | LITTELFUSE |
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功能与特色: 应用: 优点: |
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