IXFR21N100Q

更新时间： 2024-11-21 03:14:35

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IXYS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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描述
HiPerFETTM Power MOSFETs ISOPLUS247TM (Electrically Isolated Back Surface)

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IXFR21N100Q 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.76
Is Samacsys：	N	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	2500 mJ	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	1000 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	19 A	最大漏极电流 (ID)：	18 A
最大漏源导通电阻：	0.5 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	JESD-609代码：	e1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	400 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	84 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXFR21N100Q 数据手册

HiPerFET^TMPower MOSFETs

ISOPLUS247^TM

IXFR 21N100Q V_DSS= 1000 V

I_D25= 19 A

(Electrically Isolated Back Surface)

R_DS(on)= 0.50 W

t_rr£ 250 ns

N-Channel Enhancement Mode, Low Q_g,

High dv/dt, Low t_rr, HDMOS^TMFamily

Preliminary data sheet

Symbol

TestConditions

MaximumRatings

ISOPLUS 247^TM

E153432

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MW

1000

V_GS

V_GSM

Continuous

Transient

±20

±30

Isolated backside*

D = Drain

I_D25

I_D(RMS)

I_DM

T_C= 25°C (MOSFET chip capability)

Externallead(currentlimit)

T_C= 25°C, Note 1

G = Gate

S = Source

I_AR

T_C= 25°C

*Patentpending

E_AR

E_AS

T_C= 25°C

2.3

dv/dt

I_S£ I_DM, di/dt £ 100 A/ms, V_DD£ V_DSS

T_J£ 150°C, R_G= 2 W

V/ns

Features

• SiliconchiponDirect-Copper-Bond

substrate

P_D

T_C= 25°C

400

- High power dissipation

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

- Isolated mounting surface

- 2500V electricalisolation

• IXYS advanced low Q_gprocess

• Low gate charge and capacitances

- easier to drive

T_L

1.6 mm (0.063 in.) from case for 10 s

300

2500

°C

V_ISOL

Weight

50/60 Hz, RMS

t = 1 min

- faster switching

• Low drain to tab capacitance(<30pF)

• Low R_{DS (on)}HDMOS^TMprocess

• Rugged polysilicon gate cell structure

• Rated for Unclamped Inductive Load

Switching (UIS)

Symbol

TestConditions

CharacteristicValues

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

• Fast intrinsic Rectifier

Applications

• DC-DC converters

• Battery chargers

• Switched-modeandresonant-mode

powersupplies

• DC choppers

• AC motor control

V_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 250mA

V_DS= V_GS, I_D= 8mA

V_GS= ±20 V, V_DS= 0

1000

2.5

4.5 V

±100nA

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

100 mA

2 mA

Advantages

T_J= 125°C

• Easy assembly

• Space savings

• High power density

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= I_T

Notes 2, 3

0.5

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

98723(05/24/00)

1 - 2

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IXFR21N100Q 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXFR24N100Q3	IXYS	类似代替	Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 1000V, 0.49ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFR21N100Q_03	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs ISOPLUS247
IXFR230N20T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低
IXFR24N100	IXYS	获取价格	HiPerFETTM Power MOSFETs ISOPLUS247TM(Electrically Isolated Back Surface)
IXFR24N100	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用: 优点:
IXFR24N100_08	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFET ISOPLUS247
IXFR24N100Q3	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 1000V, 0.49ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IXFR24N100Q3	LITTELFUSE	获取价格	Q3级系列功率MOSFET为最终用户提供具有一流功率开关性能、出色热特性、强大器件耐用性和
IXFR24N50	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs ISOPLUS247 (Electrically Isolated Back Surface)
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