IXFR26N50Q

更新时间： 2024-11-24 23:13:27

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IXYS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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描述
HiPerFET Power MOSFETs ISOPLUS247 (Electrically Isolated Back Surface)

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IXFR26N50Q 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.75	Is Samacsys：	N
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	1500 mJ
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	500 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	24 A
最大漏极电流 (ID)：	24 A	最大漏源导通电阻：	0.2 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	250 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	104 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXFR26N50Q 数据手册

HiPerFET^TMPower MOSFETs

ISOPLUS247^TM

V_DSS

I_D25

R_DS(on)

IXFR 26N50Q 500 V

IXFR 24N50Q 500 V

24 A

22 A

0.20 Ω

0.23 Ω

(Electrically Isolated Back Surface)

t ≤ 250 ns

N-ChannelEnhancementMode

High dV/dt, Low t_rr, HDMOS^TMFamily

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

ISOPLUS247^TM

E153432

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

500

V_GS

V_GSM

Continuous

Transient

±20

±30

Isolated back surface*

I_D25

I_DM

I_AR

T_C= 25°C

26N50Q

24N50Q

26N50Q

24N50Q

26N50Q

24N50Q

104

T_C= 25°C, Pulse width limited by T_JM

T_C= 25°C

G = Gate

S = Source

D = Drain

* Patent pending

E_AR

E_AS

T_C= 25°C

1.5

Features

Silicon chip on Direct-Copper-Bond

substrate

dv/dt

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/µs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 2 Ω

V/ns

P_D

T_C= 25°C

250

- High power dissipation

- Isolated mounting surface

- 2500V electrical isolation

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

Low drain to tab capacitance(<35pF)

Low R_{DS (on)}HDMOS^TMprocess

Rugged polysilicon gate cell structure

Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

T_L

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

300

2500

°C

V_ISOL

Weight

50/60 Hz, RMS

t = 1 minute leads-to-tab

Fast intrinsic Rectifier

Applications

DC-DC converters

Battery chargers

Symbol

V_DSS

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Switched-mode and resonant-mode

power supplies

DC choppers

min. typ. max.

V_GS= 0 V, I_D= 250uA

500

2.5

AC motor control

V_GS(th)

I_GSS

V_DS= V_GS, I_D= 4mA

4.5

Advantages

Easyassembly:noscrews,orisolation

V_GS= ±20 V_DC, V_DS= 0

±100 nA

foils required

Space savings

I_DSS

V_DS= 0.8 V_DSS

V_GS= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

µA

High power density

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= I_T

Notes 1 & 2

26N50Q

24N50Q

0.20

0.23

Ω

Low collector capacitance to ground

(lowEMI)

98664A (5/01)

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
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