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力特 - LITTELFUSE | / | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
6页 | 315K | |
描述 | ||
功能与特色: 优点: 应用: |
是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | IN-LINE, R-PSIP-T3 | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.71 | Is Samacsys: | N |
其他特性: | AVALANCHE RATED, UL RECOGNIZED | 雪崩能效等级(Eas): | 1500 mJ |
外壳连接: | ISOLATED | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 500 V | 最大漏极电流 (ID): | 19 A |
最大漏源导通电阻: | 0.19 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-PSIP-T3 | JESD-609代码: | e1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 100 A |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXFR36N60P | IXYS |
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PolarHV HiPerFET Power MOSFET | |
IXFR36N60P | LITTELFUSE |
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功能与特色: 优点: 应用: | |
IXFR38N80Q2 | IXYS |
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Electrically Isolated Back Surface | |
IXFR38N80Q2 | LITTELFUSE |
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功能与特色: 应用: 优点: | |
IXFR38N80Q2_08 | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFET Q2-Class | |
IXFR40N50Q2 | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs | |
IXFR40N50Q2_08 | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFET Q2-Class | |
IXFR40N90P | IXYS |
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Polar Power MOSFET HiPerFET | |
IXFR40N90P | LITTELFUSE |
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功能与特色: 优点: 应用: | |
IXFR44N50F | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 500V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |