是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | Transferred |
包装说明: | IN-LINE, R-PSIP-T3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 8.36 | 其他特性: | AVALANCHE RATED, UL RECOGNIZED |
雪崩能效等级(Eas): | 1500 mJ | 外壳连接: | ISOLATED |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 600 V |
最大漏极电流 (ID): | 20 A | 最大漏源导通电阻: | 0.2 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-PSIP-T3 |
JESD-609代码: | e1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 80 A | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
SPA20N60CFD | INFINEON |
功能相似 |
CoolMOS Power Transistor |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXFR38N80Q2 | IXYS |
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Electrically Isolated Back Surface | |
IXFR38N80Q2 | LITTELFUSE |
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功能与特色: 应用: 优点: | |
IXFR38N80Q2_08 | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFET Q2-Class | |
IXFR40N50Q2 | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs | |
IXFR40N50Q2_08 | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFET Q2-Class | |
IXFR40N90P | IXYS |
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Polar Power MOSFET HiPerFET | |
IXFR40N90P | LITTELFUSE |
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功能与特色: 优点: 应用: | |
IXFR44N50F | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 500V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
IXFR44N50P | IXYS |
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PolarHV HiPerFET Power MOSFET ISOPLUS247 | |
IXFR44N50P | LITTELFUSE |
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功能与特色: 优点: 应用: |