SPA20N60CFD

更新时间： 2024-09-28 03:31:23

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CoolMOS Power Transistor

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SPA20N60CFD 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Not Recommended	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	Factory Lead Time：	1 week
风险等级：	5.6	Is Samacsys：	N
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	690 mJ
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	600 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	20.7 A
最大漏极电流 (ID)：	20.7 A	最大漏源导通电阻：	0.22 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	35 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	52 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SPA20N60CFD 数据手册

SPA20N60CFD

CoolMOS^TMPower Transistor

Features

Product Summary

V _DS

600

0.22

20.7

Ω

• New revolutionary high voltage technology

• Intrinsic fast-recovery body diode

R _DS(on),max

I _D

• Extremely low reverse recovery charge

• Ultra low gate charge

PG-TO220-3-31

• Extreme dv /dt rated

• High peak current capability

• Periodic avalanche rated

• Qualified according to JEDEC⁰⁾for target applications

• Pb-free lead plating; RoHS compliant

Type

Package

Ordering Code

Marking

SPA20N60CFD

PG-TO220-3-31 SP000216361

20N60CFD

Maximum ratings, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Value

Parameter

Symbol Conditions

Unit

Continuous drain current¹⁾

I _D

T _C=25 °C

T _C=100 °C

T _C=25 °C

20.7

13.1

Pulsed drain current²⁾

I _D,pulse

E _AS

E _AR

I _AR

I _D=10 A, V _DD=50 V

I _D=20 A, V _DD=50 V

Avalanche energy, single pulse

690

2),3)

Avalanche energy, repetitive t _AR

Avalanche current, repetitive t _AR

Drain source voltage slope

Reverse diode dv /dt

I _D=20.7 A,

dv /dt

V/ns

_DS=480 V, T _j=125 °C

I _S=20.7 A, V _DS=480 V,

T _j=125 °C

900

±20

±30

Maximum diode commutation speed di /dt

A/µs

V _GS

Gate source voltage

static

AC (f >1 Hz)

P _tot

T _C=25 °C

Power dissipation

T _j, T _stg

-55 ... +150

Operating and storage temperature

°C

Rev. 1.2

page 1

2006-05-15

12 3 4 5 6 7...12

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SPA20N60CFD 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXFR36N60P	IXYS	功能相似	PolarHV HiPerFET Power MOSFET

与SPA20N60CFD相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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SPA20N60CFD_10	INFINEON	获取价格	CoolMOS Power Transistor
SPA20N60CFDXK	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 20.7A I(D), 600V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
SPA20N65C3	INFINEON	获取价格	Cool MOS⑩ Power Transistor
SPA-2118	SIRENZA	获取价格	850 MHz 1 Watt Power Amplifier with Active Bias
SPA2118Z	RFMD	获取价格	850MHz 1 WATT POWER AMPLIFIER WITH ACTIVE BIAS
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