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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Not Recommended | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 8.44 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 690 mJ | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 500 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 21 A | 最大漏极电流 (ID)： | 21 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.19 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 34.5 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 63 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SPA21N50C3XKSA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 500V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| SPA221M04R | CDE |
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Solid Polymer Aluminum SMT Capacitors |
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| SPA221M0ER | CDE |
获取价格 |
Solid Polymer Aluminum SMT Capacitors |
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| SPA-2318 | SIRENZA |
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1700-2200 MHz 1 Watt Power Amp with Active Bias |
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| SPA-2318 | STANFORD |
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2150 MHz 1 Watt Power Amplifier with Active Bias |
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| SPA2318Z | RFMD |
获取价格 |
1700MHz to 2200MHz 1 WATT POWER AMP WITH ACTIVE BIAS |
|
| SPA-2318Z | SIRENZA |
获取价格 |
1700-2200 MHz 1 Watt Power Amp with Active Bias |
|
| SPA2318Z-EVB1 | RFMD |
获取价格 |
1700MHz to 2200MHz 1 WATT POWER AMP WITH ACTIVE BIAS |
|
| SPA2318Z-EVB2 | RFMD |
获取价格 |
1700MHz to 2200MHz 1 WATT POWER AMP WITH ACTIVE BIAS |
|
| SPA2318ZSQ | RFMD |
获取价格 |
1700MHz to 2200MHz 1 WATT POWER AMP WITH ACTIVE BIAS |
|
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