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SPA21N50C3XKSA1

更新时间： 2024-09-28 15:52:35
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
14页 746K
描述
Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 500V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, GREEN, PLASTIC, TO-220FP, 3 PIN

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SPA21N50C3XKSA1 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Not Recommended零件包装代码：TO-220AB
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantFactory Lead Time：18 weeks
风险等级：7.87其他特性：AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：690 mJ外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：500 V
最大漏极电流 (ID)：21 A最大漏源导通电阻：0.19 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：63 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SPA21N50C3XKSA1 数据手册

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SPP21N50C3  
SPI21N50C3, SPA21N50C3  
Cool MOS™ Power Transistor  
Feature  
• New revolutionary high voltage technology  
V
@ T  
560  
0.19  
21  
V
Ω
A
DS  
jmax  
R
DS(on)  
I
D
• Worldwide best R  
in TO 220  
DS(on)  
PG-TO220FP  
P G-TO262 PG-TO220  
• Ultra low gate charge  
• Periodic avalanche rated  
• Extreme dv/dt rated  
3
2
1
• Ultra low effective capacitances  
• Improved transconductance  
Type  
Package  
Ordering Code  
Marking  
SPP21N50C3  
PG-TO220  
Q67040-S4565  
21N50C3  
SPI21N50C3  
SPA21N50C3  
PG-TO262  
PG-TO220FP  
Q67040-S4564  
SP000216364  
21N50C3  
21N50C3  
Maximum Ratings  
Parameter  
Symbol  
Value  
Unit  
SPP_I  
SPA  
Continuous drain current  
I
A
D
1)  
T = 25 °C  
21  
13.1  
21  
C
1)  
T = 100 °C  
13.1  
63  
C
Pulsed drain current, t limited by T  
I
D puls  
63  
A
p
jmax  
Avalanche energy, single pulse  
E
690  
690  
mJ  
AS  
I =10A, V =50V  
D
DD  
2)  
E
Avalanche energy, repetitive t limited by T  
1
1
AR  
AR  
jmax  
I =21A, V =50V  
D
DD  
Avalanche current, repetitive t limited by T  
Gate source voltage  
I
21  
±20  
30  
21  
±20  
30  
A
V
AR  
jmax  
AR  
V
V
P
GS  
GS  
tot  
Gate source voltage AC (f >1Hz)  
Power dissipation, T = 25°C  
208  
34.5  
W
C
Operating and storage temperature  
T
dv/dt  
,
T
-55...+150  
15  
°C  
V/ns  
j
stg  
Reverse diode dv/dt 7)  
Rev. 3.2  
page 1  
2009-12-22  
1234567...14

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