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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> SPA20N60CFDXK
SPA20N60CFDXK PDF预览

SPA20N60CFDXK

更新时间： 2024-09-28 13:13:55
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
12页 469K
描述
Power Field-Effect Transistor, 20.7A I(D), 600V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, GREEN, PLASTIC, TO-220FP, 3 PIN

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SPA20N60CFDXK 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：18 weeks
风险等级：5.66其他特性：AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：690 mJ外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：600 V
最大漏极电流 (ID)：20.7 A最大漏源导通电阻：0.22 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：52 A表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SPA20N60CFDXK 数据手册

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SPA20N60CFD  
CoolMOSTM Power Transistor  
Features  
Product Summary  
V DS  
600  
0.22  
20.7  
V
"
A
• New revolutionary high voltage technology  
• Intrinsic fast-recovery body diode  
R DS(on),max  
1)  
I D  
• Extremely low reverse recovery charge  
• Ultra low gate charge  
PG-TO220-3-31  
• Extreme dv /dt rated  
• High peak current capability  
• Periodic avalanche rated  
• Qualified for industrial grade applications according to JEDEC0)  
• Pb-free lead plating; RoHS compliant  
Type  
Package  
Ordering Code  
Marking  
SPA20N60CFD  
PG-TO220-3-31 SP000216361  
20N60CFD  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
Continuous drain current1)  
I D  
T C=25 °C  
T C=100 °C  
T C=25 °C  
20.7  
13.1  
52  
A
Pulsed drain current2)  
I D,pulse  
E AS  
E AR  
I AR  
I D=10 A, V DD=50 V  
I D=20 A, V DD=50 V  
Avalanche energy, single pulse  
690  
1
mJ  
2),3)  
2),3)  
Avalanche energy, repetitive t AR  
20  
A
Avalanche current, repetitive t AR  
Drain source voltage slope  
Reverse diode dv /dt  
I D=20.7 A,  
80  
dv /dt  
dv /dt  
V/ns  
V/ns  
V DS=480 V, T j=125 °C  
40  
I S=20.7 A, V DS=480 V,  
T j=125 °C  
900  
Maximum diode commutation speed di /dt  
A/µs  
V
V GS  
±20  
±30  
Gate source voltage  
static  
AC (f >1 Hz)  
T C=25 °C  
P tot  
35  
Power dissipation  
W
T j, T stg  
-55 ... +150  
Operating and storage temperature  
°C  
Rev. 1.3  
page 1  
2010-12-21  
1234567...12

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