Datasheet > IXFR4N100Q

IXFR4N100Q

更新时间： 2024-11-05 03:38:39

品牌	Logo	应用领域
IXYS		/
页数	文件大小	规格书
2页	81K
描述
HiPerFET Power MOSFETs ISOPLUS247 (Electrically Isolated Backside)

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXFR4N100Q 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
包装说明：	ISOPLUS247, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.76
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	700 mJ
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	1000 V	最大漏极电流 (ID)：	3.5 A
最大漏源导通电阻：	3 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	JESD-609代码：	e1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	16 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXFR4N100Q 数据手册

HiPerFET^TMPowerMOSFETs

ISOPLUS247^TM

V_DSS=1000 V

I_D25= 3.5 A

IXFR 4N100Q

R_DS(on)= 3.0 Ω

(Electrically Isolated Backside)

t_rr≤ 200ns

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated, Low Q_g, High dv/dt

PreliminaryData

ISOPLUS247^TM

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

E153432

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

1000

V_GS

V_GSM

Continuous

Transient

±20

±30

Isolated backside*

I_D25

I_DM

I_AR

T_C= 25°C

T_C= 25°C, Note 1

T_C= 25°C

3.5

G = Gate

S = Source

D = Drain

E_AR

E_AS

T_C= 25°C

700

* Patent pending

dv/dt

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/µs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 2 Ω

V/ns

P_D

T_J

T_C= 25°C

Features

^zSilicon chip on Direct-Copper-Bond

-55 ... +150

°C

substrate

T_JM

T_stg

150

-55 ... +150

°C

- High power dissipation

- Isolated mounting surface

- 2500V electrical isolation

^zLow drain to tab capacitance(<30pF)

^zLow R_{DS (on)}HDMOS^TMprocess

^zRugged polysilicon gate cell structure

^zRated for Unclamped Inductive Load

T_L

1.6 mm (0.063 in.) from case for 10 s

300

2500

°C

V_ISOL

Weight

50/60 Hz, RMS

t = 1 min

Switching (UIS)

^zFast intrinsic Rectifier

Applications

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

DC-DC converters

Battery chargers

Switched-mode and resonant-mode

power supplies

V_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 1mA

1000

3.0

5.0 V

V_DS= V_GS, I_D= 1.5 mA

DC choppers

^zAC motor control

V_GS= ±20 V_DC, V_DS= 0

±100 nA

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

50 µA

1 mA

Advantages

Easy assembly

Space savings

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= I_T

Notes 2, 3

3.0 Ω

High power density

DS98860A(12/02)

中文翻译

下载PDF

与IXFR4N100Q相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFR50N50	IXYS	获取价格	HiPerFET-TM Power MOSFETs ISOPLUS247-TM
IXFR55N50	IXYS	获取价格	HiPerFET-TM Power MOSFETs ISOPLUS247-TM
IXFR55N50F	IXYS	获取价格	HiPerRF Power MOSFETs F-Class: MegaHertz Switching
IXFR58N20Q	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs ISOPLUS247 Q-Class
IXFR58N20Q	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用: 优点:
IXFR64N50P	IXYS	获取价格	Polar Power MOSFET HiPerFET
IXFR64N50P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFR64N50Q3	LITTELFUSE	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,
IXFR64N50Q3	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 500V, 0.094ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IXFR64N60P	IXYS	获取价格	PolarHV HiPerFET Power MOSFET

与IXFR4N100Q相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

13
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

9
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

35
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

31

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXFR4N100Q

IXFR4N100Q 技术参数

IXFR4N100Q 数据手册

与IXFR4N100Q相关器件

与IXFR4N100Q相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXFR4N100Q

IXFR4N100Q 技术参数

IXFR4N100Q 数据手册

与IXFR4N100Q相关器件

与IXFR4N100Q相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？