IXFR55N50F

更新时间： 2024-01-29 20:54:46

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IXYS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
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2页	501K
描述
HiPerRF Power MOSFETs F-Class: MegaHertz Switching

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IXFR55N50F 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	ISOPLUS247, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.82	Is Samacsys：	N
雪崩能效等级（Eas）：	3000 mJ	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	47 A	最大漏极电流 (ID)：	47 A
最大漏源导通电阻：	0.085 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	JESD-609代码：	e1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	400 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	220 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXFR55N50F 数据手册

HiPerRF^TM

IXFR 55N50F V_DSS= 500 V

I_D25= 55 A

Power MOSFETs

_DS(on)= 90 mΩ

F-Class: MegaHertz Switching

N-ChannelEnhancementMode

Avalanche Rated, Low Q_g, Low Intrinsic R_g

High dV/dt, Low t_rr

t_rr≤ 250 ns

ISOPLUS247^TM

E153432

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

= 25°C to 150°C

500

T^J_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

Isolatedbackside*

V_GS

V_GSM

Continuous

Transient

G = Gate

= Drain

S = Source TAB = Electrically Isolated

I_D25

I_DM

I_AR

= 25°C

220

T^C= 25°C, pulse width limited by T_JM

T^C_C= 25°C

Features

^zSilicon chip on Direct-Copper-Bond

E_AR

E_AS

= 25°C

3.0

T^C_C= 25°C

substrate

- High power dissipation

-Isolatedmountingsurface

-2500Velectricalisolation

dv/dt

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/µs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 2 Ω

V/ns

^zRF capable Mosfets

P_D

T_J

T_C= 25°C

400

^zLowgatechargeandcapacitances

- easier to drive

-40 ... +150

°C

T_JM

T_stg

150

-40 ... +150

°C

-fasterswitching

^zLowdraintotabcapacitance(<30pF)

^zLow R_{DS (on)}HDMOS^TMprocess

^zRuggedpolysilicongatecellstructure

^zRated for Unclamped Inductive Load

Switching(UIS)

T_L

1.6 mm (0.063 in.) from case for 10 s

50/60 Hz, RMS t = 1 min

300

2500

°C

V_ISOL

Weight

^zFastintrinsicRectifier

Applications

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

DC-DC converters

Batterychargers

Switched-modeandresonant-mode

power supplies

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

V_DSS

V_GS= 0 V, I_D= 1mA

500

3.0

V_GS(th)

I_GSS

V_DS= V_GS, I_D= 8mA

V_GS= 20 V, V_DS= 0

5.5 V

DC choppers

^zAC motor control

200 nA

Advantages

I_DSS

V_DS= V

T = 25°C

T_J^J= 125°C

100 µA

V_GS= 0^DV^SS

3 mA

Easy assembly

Space savings

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= I_T

Notes 2, 3

90 mΩ

High power density

DS98814C(06/04)

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