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IXFR44N50Q

更新时间： 2024-11-19 14:56:55

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力特 - LITTELFUSE		/
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IXFR44N50Q 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Not Recommended
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.74	Is Samacsys：	N
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	2500 mJ
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	500 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	34 A
最大漏极电流 (ID)：	34 A	最大漏源导通电阻：	0.12 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	310 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	176 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXFR44N50Q 数据手册

HiPerFET^TM

V_DSSI_D25

R_DS(on)

Power MOSFETs

IXFR 44N50Q 500 V 34 A 120 mΩ

ISOPLUS247^TM, Q-Class

IXFR 48N50Q 500 V 40 A 110 mΩ

t_rr≤ 250 ns

(Electrically Isolated Backside)

N-ChannelEnhancementMode

Avalanche Rated, Low Q_g, High dv/dt

ISOPLUS247^TM

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

E153432

V_DSS

V_DGR

= 25°C to 150°C

500

T^J_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

V_GS

V_GSM

Continuous

Transient

Isolated backside*

I_D25

I_DM

I_AR

T_C= 25°C

44N50Q

48N50Q

44N50Q

48N50Q

44N50Q

48N50Q

T_C= 25°C, Note 1

T_C= 25°C

176

192

G = Gate

S = Source

D = Drain

E_AR

E_AS

= 25°C

2.5

T^C_C= 25°C

* Patent pending

dv/dt

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/µs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 2 Ω

V/ns

Features

^zSilicon chip on Direct-Copper-Bond

substrate

P_D

T_C= 25°C

310

- High power dissipation

- Isolated mounting surface

- 2500V electrical isolation

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

^zLow drain to tab capacitance(<30pF)

^zIXYS advanced low Q_gprocess

T_L

1.6 mm (0.063 in.) from case for 10 s

300

2500

°C

^zRugged polysilicon gate cell structure

^zRated for Unclamped Inductive Load

Switching (UIS)

V_ISOL

Weight

50/60 Hz, RMS

t = 1 min

^zFast intrinsic diode

Applications

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

DC-DC converters

Battery chargers

Switched-mode and resonant-mode

power supplies

V_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 250µA

V_DS= V_GS, I_D= 4mA

V_GS= 20 V, V_DS= 0

500

2.0

4.0 V

DC choppers

^zAC motor control

100 nA

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

100 µA

Advantages

T_J= 125°C

2 mA

Easy assembly

Space savings

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= I_T

Notes 2, 3

44N50Q

48N50Q

120 mΩ

110 mΩ

High power density

DS98702D(08/03)

12 3 4 5

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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