是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Not Recommended |
包装说明: | IN-LINE, R-PSIP-T3 | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.76 | 其他特性: | UL RECOGNIZED |
雪崩能效等级(Eas): | 4000 mJ | 外壳连接: | ISOLATED |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 800 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 28 A | 最大漏极电流 (ID): | 28 A |
最大漏源导通电阻: | 0.24 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-PSIP-T3 | JESD-609代码: | e1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 500 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 150 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXFR38N80Q2_08 | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFET Q2-Class | |
IXFR40N50Q2 | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFETs | |
IXFR40N50Q2_08 | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFET Q2-Class | |
IXFR40N90P | IXYS |
获取价格 |
Polar Power MOSFET HiPerFET | |
IXFR40N90P | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 优点: 应用: | |
IXFR44N50F | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 500V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
IXFR44N50P | IXYS |
获取价格 |
PolarHV HiPerFET Power MOSFET ISOPLUS247 | |
IXFR44N50P | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 优点: 应用: | |
IXFR44N50Q | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFETs ISOPLUS247 Q-Class | |
IXFR44N50Q | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 应用: 优点: |