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IXFR44N50Q3

更新时间： 2024-09-28 14:30:07

品牌	Logo	应用领域
IXYS		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	148K
描述
Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 500V, 0.154ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PLASTIC, ISOPLUS247, 3 PIN

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IXFR44N50Q3 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	PLASTIC, ISOPLUS247, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	8.48	其他特性：	AVALANCHE RATED, UL RECOGNIZED
雪崩能效等级（Eas）：	1500 mJ	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	25 A	最大漏极电流 (ID)：	25 A
最大漏源导通电阻：	0.154 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	300 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	130 A	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXFR44N50Q3 数据手册

Preliminary Technical Information

HiperFET^TM

Power MOSFET

Q3-Class

V_DSS= 500V

I_D25= 25A

R_DS(on)≤ 154mΩ

IXFR44N50Q3

t_rr

≤ 250ns

(Electrically Isolated Tab)

N-Channel Enhancement Mode

Fast Intrinsic Rectifier

ISOPLUS247

E153432

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

500

V_DGR

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

±30

±40

Isolated Tab

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, Pulse Width Limited by T_JM

130

G = Gate

S = Source

= Drain

I_A

E_AS

T_C= 25°C

1.5

dv/dt

P_D

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 150°C

T_C= 25°C

V/ns

300

Features

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

Silicon Chip on Direct-Copper Bond

(DCB) Substrate

Isolated Mounting Surface

Low Intrinsic Gate Resistance

2500V~ Electrical Isolation

Fast Intrinsic Rectifier

T_L

T_SOLD

1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s

Plastic Body for 10s

300

260

°C

V_ISOL

50/60 Hz, 1 Minute

Mounting Force

2500

V∼

Avalanche Rated

F_C

20..120/4.5..27

N/lb.

Low Package Inductance

Weight

Advantages

High Power Density

Easy to Mount

Space Savings

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C Unless Otherwise Specified)

Min.

500

3.5

Typ.

Max.

Applications

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 1mA

V_DS= V_GS, I_D= 4mA

V_GS= ±30V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

DC-DC Converters

Battery Chargers

Switch-Mode and Resonant-Mode

6.5

±100 nA

Power Supplies

DC Choppers

Temperature and Lighting Controls

I_DSS

25 μA

1 mA

T_J= 125°C

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 22A, Note 1

154 mΩ

DS100382A(05/12)

12 3 4 5

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