5秒后页面跳转
| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | PLASTIC, ISOPLUS247, 3 PIN |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 8.48 | 其他特性： | AVALANCHE RATED, UL RECOGNIZED |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 1500 mJ | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 500 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 25 A | 最大漏极电流 (ID)： | 25 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.154 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 300 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 130 A | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IXFR44N50P | IXYS |
类似代替  |
PolarHV HiPerFET Power MOSFET ISOPLUS247 |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXFR44N60 | IXYS |
获取价格 |
HiPerFETTM Power MOSFETs ISOPLUS247 |
|
| IXFR44N60 | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 应用: 优点: |
|
| IXFR44N80P | IXYS |
获取价格 |
PolarHV HiPerFET Power MOSFET |
|
| IXFR44N80P | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 优点: 应用: |
|
| IXFR48N50Q | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFETs ISOPLUS247 Q-Class |
|
| IXFR48N50Q | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 应用: 优点: |
|
| IXFR48N60P | IXYS |
获取价格 |
PolarHV HiPerFET Power MOSFET ISOPLUS247 |
|
| IXFR48N60P | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 优点: 应用: |
|
| IXFR48N60Q3 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
|
| IXFR48N60Q3 | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 600V, 0.154ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
替代型号
如果您发现信息不准确，
