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IXFR58N20Q

更新时间： 2024-02-10 22:05:27

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2页	93K
描述
HiPerFET Power MOSFETs ISOPLUS247 Q-Class

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IXFR58N20Q 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	ISOPLUS247, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.84
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	1000 mJ
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	200 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	50 A
最大漏极电流 (ID)：	50 A	最大漏源导通电阻：	0.04 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	300 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	232 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXFR58N20Q 数据手册

HiPerFET^TMPower MOSFETs

ISOPLUS247^TMQ-Class

IXFR 58N20Q V_DSS= 200 V

I_D25

50 A

R_DS(on)

40 mΩ

(Electrically Isolated Back Surface)

t_rr≤ 200 ns

N-ChannelEnhancementMode

AvalancheRated,HighdV/dt

Low Gate Charge and Capacitances

Preliminary Data Sheet

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

ISOPLUS247

E153432

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

200

V_GS

V_GSM

Continuous

Transient

±20

±30

I_D25

I_DM

I_AR

T_C= 25°C

T_C= 25°C, Note 1

T_C= 25°C

232

Isolated back surface*

D = Drain

G = Gate

S = Source

E_AR

E_AS

T_C= 25°C

1.0

* Patent pending

Features

dv/dt

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/µs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 2 Ω

V/ns

P_D

T_C= 25°C

300

^zSilicon chip on Direct-Copper-Bond

substrate

- High power dissipation

- Isolated mounting surface

- 2500V electrical isolation

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

T_L

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

250

2500

°C

^zLow drain to tab capacitance(<50pF)

^zIXYS advanced low Q_gprocess

^zRugged polysilicon gate cell structure

^zUnclamped Inductive Switching (UIS)

rated

V_ISOL

Weight

50/60 Hz, RMS

t = 1 min

^zFast intrinsic diode

Applications

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

DC-DC converters

Battery chargers

Switched-mode and resonant-mode

V_DSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 µA

200

2.0

power supplies

DC choppers

^zAC motor control

V_GS(th)

V_DS= V_GS, I_D= 4mA

4.0 V

I_GSS

V_GS= ±20 V, V_DS= 0

±100 nA

Advantages

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

25 µA

1 mA

Easy assembly

Space savings

High power density

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 29A

Note 2

40 mΩ

DS98591B(01/03)

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