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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | PLASTIC, ISOPLUS247, 3 PIN |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 8.47 | 其他特性： | AVALANCHE RATED, UL RECOGNIZED |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 3000 mJ | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 600 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 42 A | 最大漏极电流 (ID)： | 42 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.104 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 568 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 250 A | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXFR66N50Q2 | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFET Q2-Class |
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| IXFR70N15 | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs |
|
| IXFR80N15Q | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs ISOPLUS247 |
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| IXFR80N20Q | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs ISOPLUS247, Q-Class |
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| IXFR80N50P | IXYS |
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PolarHV HiPerFET Power MOSFET ISOPLUS247 |
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| IXFR80N50P | LITTELFUSE |
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功能与特色: 优点: 应用: |
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| IXFR80N50Q3 | LITTELFUSE |
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Q3级系列功率MOSFET为最终用户提供具有一流功率开关性能、出色热特性、强大器件耐用性和 |
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| IXFR80N60P3 | LITTELFUSE |
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PolarP3? HiPerFET?产品系列是针对300V, 500V至600V产品系列的 |
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| IXFR90N20 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 200V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IXFR90N30 | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs ISOPLUS247 |
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