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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | TO-268AA | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.76 | 其他特性： | AVALANCHE RATED |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 1000 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 10 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 10 A | 最大漏源导通电阻： | 1.2 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-268AA |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 300 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 40 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXFT10N100Q | IXYS |
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HiPerFETTM Power MOSFETs Q Class |
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| IXFT120N15P | IXYS |
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PolarHT HiPerFET Power MOSFET |
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| IXFT120N15P | LITTELFUSE |
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功能与特色: 优点: 应用: |
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| IXFT120N25T | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IXFT120N25T | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 250V, 0.023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| IXFT120N25X3HV | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IXFT120N25X3HV | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
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| IXFT120N30X3HV | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
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| IXFT120N30X3HV | LITTELFUSE |
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超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，可提供出类拔萃的质量因数（导通电阻乘 |
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| IXFT12N100 | IXYS |
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N-Channel Enhancement Mode High dv/dt, Low trr, HDMOSTM Family |
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