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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | TO-268 |
| 包装说明： | TO-268, 3 PIN | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | 风险等级： | 5.71 |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 1000 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 12.5 A | 最大漏极电流 (ID)： | 13 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.9 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-268 | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 300 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 50 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| APT10086SVRG | MICROSEMI |
功能相似  |
Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 1000V, 0.86ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXFT13N80Q | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs Q Class |
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| IXFT13N90 | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs |
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| IXFT140N10P | IXYS |
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PolarHV HiPerFET Power MOSFETs |
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| IXFT140N10P | LITTELFUSE |
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功能与特色: 优点: 应用: |
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| IXFT140N20X3HV | LITTELFUSE |
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超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，可提供出类拔萃的质量因数（导通电阻乘 |
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| IXFT14N100 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 14A I(D) | TO-268 |
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| IXFT14N100Q | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 1000V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IXFT14N80P | IXYS |
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PolarHV HiPerFET Power MOSFET |
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| IXFT14N80P | LITTELFUSE |
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功能与特色: 优点: 应用: |
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| IXFT150N17T2 | IXYS |
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TrenchT2 HiperFET Power MOSFET |
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