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IXFT16N120PHV

更新时间： 2024-09-21 14:56:39

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力特 - LITTELFUSE		/
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IXFT16N120PHV 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.32
Base Number Matches：	1

IXFT16N120PHV 数据手册

Advance Technical Information

Polar^TMHiPerFET^TM

Power MOSFET

V_DSS= 1200V

I_D25= 16A

R_DS(on) 950m

 300ns

IXFT16N120PHV

t_rr

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Fast Intrinsic Diode

TO-268HV (IXTT)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25C to 150C

T_J= 25C to 150C, R_GS= 1M

1200

V_DGR

D (Tab)

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

 30

 40

G = Gate

S = Source

= Drain

Tab = Drain

I_D25

I_DM

T_C= 25C

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

I_A

T_C= 25C

E_AS

800

dv/dt

P_D

I_S I_DM, V_DD V_DSS, T_J 150°C

T_C= 25C

V/ns

Features

660

^High Voltage Package

^Fast Recovery Diode

^Avalanche Rated

T_J

-55 ... +150

150



C

T_JM

T_stg

^Low Package Inductance

-55 ... +150

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C

Advantages



Easy to Mount

Space Savings

High Power Density

Weight



Applications

^High Voltage Switch-Mode and

Resonant-Mode Power Supplies

^High Voltage Pulse Power Applications

^High Voltage Discharge Circuits in

Lasers Pulsers, Spark Igniters, RF

Generators

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25C Unless Otherwise Specified)

Min.

1200

3.5

Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 1mA

V_DS= V_GS, I_D= 1mA

V_GS= 30V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

6.5

^High Voltage DC-DC Converters

^High Voltage DC-AC Inverters

          200 nA

I_DSS

25 A

T_J= 125C

2.5 mA

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

950 m

DS100702(01/16)

12 3 4 5 6 7

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