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IXFT16N120P

更新时间： 2024-01-08 20:54:34

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描述
Polar Power MOSFET HiPerFET

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IXFT16N120P 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.7
Base Number Matches：	1

IXFT16N120P 数据手册

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Polar^TMPower MOSFET

HiPerFET^TM

V_DSS= 1200V

I_D25= 16A

R_DS(on)≤ 950mΩ

≤ 300ns

IXFH16N120P

IXFT16N120P

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Fast Intrinsic Diode

t_rr

TO-247 (IXFH)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25°C to 150°C

1200

1200

V

V

TAB

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

± 30

± 40

V

V

TO-268 (IXFT)

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

16

35

A

A

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

I_A

T_C= 25°C

T_C= 25°C

8

A

G

S

E_AS

800

mJ

TAB

dV/dt

P_D

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 150°C

T_C= 25°C

15

V/ns

W

G = Gate

S = Source TAB = Drain

D

= Drain

660

T_J

-55 ... +150

150

°C

°C

°C

T_JM

T_stg

Features

-55 ... +150

^zInternational standard packages

^zFast recovery diode

T_L

Maximum lead temperature for soldering

Plastic body for 10s

300

260

°C

°C

^zUnclamped Inductive Switching (UIS)

rated

T_SOLD

^zLow package inductance

- easy to drive and to protect

M_d

Mounting torque (TO-247)

1.13 / 10

Nm/lb.in.

Weight

TO-247

TO-268

6

5

g

g

Advantages

z

Easy to mount

Space savings

High power density

z

z

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

Applications:

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Min.

Typ. Max.

^zHigh Voltage Switched-mode and

resonant-mode power supplies

^zHigh Voltage Pulse Power Applications

^zHigh Voltage Discharge circuits in

Lasers Pulsers, Spark Igniters, RF

Generators

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 1mA

V_DS= V_GS, I_D= 1mA

V_GS= ± 30V, V_DS= 0V

1200

3.5

V

V

6.5

± 200 nA

^zHigh Voltage DC-DC converters

^zHigh Voltage DC-AC inverters

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0V

25 μA

2.5 mA

T_J= 125°C

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

950 mΩ

DS99896A (04/08)

© 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved

12 3 4

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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