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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IXFT15N100Q
IXFT15N100Q PDF预览

IXFT15N100Q

更新时间： 2024-01-07 14:02:12
品牌 Logo 应用领域
IXYS 晶体晶体管功率场效应晶体管脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
2页 139K
描述
HiPerFET Power MOSFETs Q-Class

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IXFT15N100Q 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Not Recommended
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2Reach Compliance Code：not_compliant
风险等级：5.72其他特性：AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：1500 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：1000 V
最大漏极电流 (ID)：15 A最大漏源导通电阻：0.725 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-268
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：60 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IXFT15N100Q 数据手册

 浏览型号IXFT15N100Q的Datasheet PDF文件第2页 
HiPerFETTM  
PowerMOSFETs  
Q-Class  
IXFH 15N100Q  
IXFK 15N100Q  
IXFT 15N100Q  
VDSS  
ID25  
= 1000 V  
=
=
15 A  
RDS(on)  
0.7 Ω  
trr ≤ 250 ns  
N-ChannelEnhancementMode  
AvalancheRated, LowQg,Highdv/dt  
TO-247 AD (IXFH)  
Preliminary data sheet  
Symbol  
TestConditions  
Maximum Ratings  
(TAB)  
VDSS  
VDGR  
TJ = 25°C to 150°C  
TJ = 25°C to 150°C; RGS = 1 MΩ  
1000  
1000  
V
V
TO-268 (D3) ( IXFT)  
VGS  
VGSM  
Continuous  
Transient  
±20  
±30  
V
V
ID25  
IDM  
IAR  
TC = 25°C  
TC = 25°C, pulse width limited by TJM  
TC = 25°C  
15  
60  
15  
A
A
A
G
S
EAR  
EAS  
TC = 25°C  
TC = 25°C  
45  
1.5  
mJ  
J
TO-264 AA (IXF
dv/dt  
IS ≤ IDM, di/dt ≤ 100 A/µs, VDD ≤ VDSS  
TJ ≤ 150°C, RG = 2 Ω  
,
5
V/ns  
PD  
TC = 25°C  
360  
W
G
D
S
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 ... +150  
150  
-55 ... +150  
°C  
°C  
°C  
D (TAB)  
G = Gate  
S = Source  
TAB = Drain  
TL  
1.6 mm (0.063 in) from case for 10 s  
Mounting torque  
300  
°C  
Md  
TO-247 1.13/10 Nm/lb.in.  
TO-264  
0.9/6 Nm/lb.in.  
Weight  
Symbol  
TO-247  
TO-268  
TO-264  
6
4
10  
g
g
g
Features  
z IXYS advanced low Qg process  
z International standard packages  
z
Epoxy meet UL 94 V-0, flammability  
TestConditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25°C, unless otherwise specified)  
classification  
z Low RDS (on) low Qg  
min. typ. max.  
z Avalanche energy and current rated  
z Fast intrinsic rectifier  
VDSS  
VGS = 0 V, ID = 250 µA  
1000  
3.0  
V
V
VGS(th)  
VDS = VGS, ID = 4 mA  
5.0  
Advantages  
IGSS  
IDSS  
VGS = ±20 VDC, VDS = 0  
±200 nA  
50 µA  
z
Easy to mount  
Space savings  
VDS = VDSS  
VGS = 0 V  
TJ = 25°C  
TJ = 125°C  
z
2
mA  
z
High power density  
RDS(on)  
VGS = 10 V, ID = 0.5 • ID25  
0.7  
Ω
Pulse test, t ≤ 300 µs, duty cycle d ≤ 2 %  
© 2001 IXYS All rights reserved  
98627A (9/01)  
12

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