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IXFT18N100Q3

更新时间： 2024-11-22 14:56:51

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力特 - LITTELFUSE		开关
页数	文件大小	规格书
7页	873K
描述
Q3级系列功率MOSFET为最终用户提供具有一流功率开关性能、出色热特性、强大器件耐用性和高能效的广泛器件。 Q3级系列的漏极-源极电压额定值为200V–1000V，漏极电流额定值为10A–100

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IXFT18N100Q3 数据手册

Q3-Class

V_DSS= 1000V

I_D25= 18A

R_DS(on) 660m

IXFT18N100Q3

IXFH18N100Q3

HiperFET^TM

Power MOSFET

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Fast Intrinsic Rectifier

TO-268

(IXFT)

D (Tab)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25C to 150C

1000

TO-247

(IXFH)

V_DGR

T_J= 25C to 150C, R_GS= 1M

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

 30

 40

I_D25

I_DM

T_C= 25C

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

D (Tab)

I_A

T_C= 25C

E_AS

1.5

G = Gate

= Drain

S = Source

Tab = Drain

dv/dt

P_D

I_S I_DM, V_DD V_DSS, T_J 150°C

T_C= 25C

V/ns

830

T_J

-55 ... +150

150



C

T_JM

T_stg

Features

-55 ... +150



Low Intrinsic Gate Resistance

International Standard Packages

Low Package Inductance

Fast Intrinsic Rectifier

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C



M_d

Mounting Torque (TO-247)

1.13 / 10

Nm/lb.in.

Low R_DS(on)and Q_G

Weight

TO-268

TO-247

4.0

6.0

Advantages



High Power Density

Easy to Mount

Space Savings



Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25C Unless Otherwise Specified)

Min.

1000

3.5

Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 1mA

V_DS= V_GS, I_D= 4mA

V_GS= 30V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

Applications

6.5



DC-DC Converters

Battery Chargers

Switch-Mode and Resonant-Mode



          100 nA



I_DSS

25 A

Power Supplies

DC Choppers

Temperature and Lighting Controls

T_J= 125C

1.25 mA



R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

660 m

DS100390A(1/20)

12 3 4 5 6 7

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